전화 : +86-0755-83501315
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![]() | lnt1v683msen | 35.9380 | ![]() | 8375 | 0.00000000 | 니치콘 | lnt | 대부분 | 활동적인 | 68000 µF | ± 20% | 35 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 12.3 a @ 120 Hz | 18.45 A @ 10 kHz | 0.866 "(22.00mm) | 2.008 "DIA (51.00mm) | 4.843 "(123.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0055 | 25 | ||||
![]() | 420hxh330mepasn30x35 | 9.7800 | ![]() | 9868 | 0.00000000 | 루비콘 | hxh | 대부분 | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 420 v | - | 5000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 1.79 a @ 120 Hz | 2.506 A @ 10 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 1189-420HXH330MEPASN30X35 | 100 | |||||
![]() | MAL212548222E3 | 5.9774 | ![]() | 7469 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 125 ALS | 상자 | 활동적인 | 2200 µF | ± 20% | 63 v | 72mohm @ 100Hz | 10000 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.5 A @ 100 Hz | 2.1 a @ 10 kHz | 72 Mohms | - | 0.827 "dia x 1.496"L (21.00mm x 38.00mm) | - | - | 구멍을 구멍을 | 축, 수 할 있습니다 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 56-MAL212548222E3 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | ||
![]() | E36D451HPN682MEE3M | - | ![]() | 9940 | 0.00000000 | 화학 화학 | U36D | 대부분 | 쓸모없는 | 6800 µF | ± 20% | 450 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.250 "(31.75mm) | 3.000 "dia (76.20mm) | 5.625 "(142.88mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 16 | ||||||
![]() | UCY2D101MHD3TN | 1.8600 | ![]() | 498 | 0.00000000 | 니치콘 | UCY | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 100 µf | ± 20% | 200 v | - | 12000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 710 ma @ 120 Hz | 1.42 a @ 100 kHz | 0.295 "(7.50mm) | 0.630 "dia (16.00mm) | 0.866 "(22.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 250 | ||||
![]() | uru1a222mhd | - | ![]() | 7875 | 0.00000000 | 니치콘 | 우루 | 대부분 | 쓸모없는 | 2200 µF | ± 20% | 10 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 870 ma @ 120 Hz | 1.0005 a @ 10 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 0.551 "(14.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 100 | |||||
![]() | EWF688M2GX1E | 80.0000 | ![]() | 2755 | 0.00000000 | 삼본 삼본 | - | 대부분 | 활동적인 | 6800 µF | ± 20% | 400 v | 16mohm @ 120Hz | 5000 시간 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 17.2 a @ 120 Hz | 20.64 A @ 10 kHz | 1.250 "(31.75mm) | 3.543 "DIA (90.00mm) | 6.102 "(155.00mm) | - | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3999-ewf688m2gx1e | 귀 99 | 1 | |||||
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![]() | MALIEYH07LU433F02K | - | ![]() | 6573 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | Eyh | 대부분 | 쓸모없는 | 3300 µF | ± 20% | 35 v | 141mohm @ 120Hz | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.62 A @ 120 Hz | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 200 | |||||
![]() | EKMH401VSD681MA80T | - | ![]() | 5583 | 0.00000000 | United Chemi-Con | KMH | 대부분 | 쓸모없는 | 680 µF | ± 20% | 400 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 3.228 "(82.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | ||||||
![]() | LSM820M2W --- 2030 년대 | 1.2952 | ![]() | 9770 | 0.00000000 | 급등하다 | LSM | 상자 | 활동적인 | 82 µF | ± 20% | 450 v | 2.427ohm @ 120Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 540 ma @ 120 Hz | 756 MA @ 10 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 0.787 "DIA (20.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4403-LSM820M2W --- 2030 년대 | 3A001 | 8532.22.0040 | 110 | ||||
![]() | MAL219356471E3 | 9.1534 | ![]() | 9964 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 193 pur-si | 상자 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 400 v | 190mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.36 A @ 100 Hz | 3.54 A @ 10 kHz | 110 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 2.047 "(52.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 56-MAL219356471E3 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | ||
![]() | MAL205356331E3 | 12.9702 | ![]() | 8075 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 053 PEC-PW | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 400 v | 480mohm @ 100Hz | 12000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.67 A @ 100 Hz | 280 Mohms | 0.689 "(17.50mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 2.165 "(55.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, -4 can 할 수 있습니다 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 50 | ||||
![]() | UE106M035HDHTA | 0.7555 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Aillen | ue | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 10 µF | ± 20% | 35 v | 1.8ohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | - | 범용 | 95 MA @ 100 kHz | 1.8 옴 | 0.197 "dia (5.00mm) | 0.213 "(5.40mm) | 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 3372-ue106m035hdhtatr | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | ||||
![]() | NEH47M100DC | 1.1300 | ![]() | 235 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | Neh | 가방 | 활동적인 | 47 µF | ± 20% | 100 v | 1000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | - | 0.394 "dia x 0.787"L (10.00mm x 20.00mm) | - | - | 구멍을 구멍을 | 축, 수 할 있습니다 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2368-NEH47M100DC | 귀 99 | 8532.10.0000 | 1 | ||||||||
500D335M350DD2A | - | ![]() | 5951 | 0.00000000 | Vishay Sprague | 500D | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 3.3 µF | ± 20% | 350 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -20 ° C ~ 85 ° C | - | - | 범용 | - | 0.374 "dia x 0.945"L (9.50mm x 24.00mm) | - | - | 구멍을 구멍을 | 축, 수 할 있습니다 | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 470 | ||||||||
![]() | EEU-TA1E221 | 1.1700 | ![]() | 970 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | 고마워 | 대부분 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 25 v | - | 2000 시간 @ 125 ° C | -40 ° C ~ 125 ° C | 극선 | - | 범용 | 442 ma @ 120 Hz | 680 ma @ 100 kHz | 100 Mohms | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.531 "(13.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | eeu-ta | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | ||
![]() | MAL219336221E3 | 5.0810 | ![]() | 3225 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 193 pur-si | 상자 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 400 v | 390mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.41 A @ 100 Hz | 2.115 a @ 10 kHz | 230 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | Radial, can -snap -in -3 리드 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 56-MAL21936221E3 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | ||
![]() | 860010275020 | 0.6600 | ![]() | 448 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WCAP-ATG8 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 2200 µF | ± 20% | 10 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.21 A @ 120 Hz | 1.5488 A @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.846 "(21.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | ||||
![]() | 860160378038 | 1.5200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Würth Elektronik | wcap-atll | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 2200 µF | ± 20% | 16 v | - | 7000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.082 A @ 100 kHz | 90 Mohms | 0.197 "(5.00mm) | 0.512 "DIA (13.00mm) | 0.846 "(21.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 300 | ||||
![]() | EEE-FK1A222AV | 2.4400 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | fk, 진동 반 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 2200 µF | ± 20% | 10 v | 60mohm @ 100khz | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차, 리플 고온 로우 | 825 ma @ 120 Hz | 1.1 A @ 100 kHz | - | 0.492 "dia (12.50mm) | 0.555 "(14.10mm) | 0.531 "L x 0.531"W (13.50mm x 13.50mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | EEE-FK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | |||
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![]() | B43642B5397M000 | 9.3750 | ![]() | 4744 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43642 | 대부분 | 활동적인 | 390 µF | ± 20% | 450 v | 220mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.06 A @ 100 Hz | 310 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 495-B43642B5397M000 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | |||
![]() | E36D101LPN232UC54U | 17.0022 | ![]() | 2104 | 0.00000000 | 화학 화학 | U36D | 대부분 | 활동적인 | 2.3 MF | -10%, +75% | 100 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 0.874 "(22.20mm) | 2.000 "50 (50.80mm) | 2.126 "(54.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | - | 적용 적용 수 할 | 565-E36D101LPN232UC54U | 귀 99 | 8532.22.0055 | 49 | |||||||
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UCY2V330MHD3 | 0.9454 | ![]() | 4650 | 0.00000000 | 니치콘 | UCY | 대부분 | 활동적인 | 33 µF | ± 20% | 350 v | - | 12000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 450 ma @ 120 Hz | 900 ma @ 100 kHz | 0.295 "(7.50mm) | 0.630 "dia (16.00mm) | 0.846 "(21.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 50 | |||||
![]() | B41868W7337M008 | - | ![]() | 6950 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 495-B41868W7337M008 | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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