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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
UPM2G4R7MHD Nichicon UPM2G4R7MHD 1.0300
RFQ
 ECAD 445 0.00000000 니치콘 UPM 대부분 마지막으로 마지막으로 4.7 µF ± 20% 400 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 55 MA @ 120 Hz 88 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 1,000
EDK107M6R3A9DAA KEMET EDK107M6R3A9DAA 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 케멧 EDK 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 47 MA @ 120 Hz 58.75 ma @ 10 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.222 "(5.65mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd edk107m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
GV2E182MND3555 Chinsan (Elite) GV2E182MND3555 7.0044
RFQ
 ECAD 3731 0.00000000 Chinsan (엘리트) GV 대부분 활동적인 1800 µF ± 20% 250 v - 5000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 5 a @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GV2E182MND3555 귀 99 8532.22.0020 90
ALS81G184NW063 KEMET ALS81G184NW063 55.6325
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 케멧 ALS81 대부분 활동적인 180000 µF ± 20% 63 v 7mohm @ 100Hz 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 27.6 A @ 100 Hz 29.1 a @ 10 kHz 8 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.031 "DIA (77.00mm) 6.732 "(171.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS81G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
50SKV0.22M4X5.5 Rubycon 50SKV0.22M4X5.5 -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 루비콘 SKV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0.22 µF ± 20% 50 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2 ma @ 120 Hz 3 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
100MS22ABMA1STD KEMET 100ms22abma1std -
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 케멧 * 쟁반 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 72
50YXH1MEFC5X11 Rubycon 50yxh1mefc5x11 0.0690
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 루비콘 YXH 대부분 활동적인 1 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,000
B43821A2277M000 EPCOS - TDK Electronics B43821A2277M000 -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43821 대부분 쓸모없는 220 µF ± 20% 200 v 670mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 910 ma @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
UKZ1H331MHM Nichicon UKZ1H331MHM 1.7800
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 니치콘 ukz 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 50 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.240 "(31.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 300
25USC22000MEFCSN30X35 Rubycon 25USC22000MEFCSN30X35 3.3896
RFQ
 ECAD 4243 0.00000000 루비콘 USC 대부분 새로운 새로운 아닙니다 22000 µF ± 20% 25 v - 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 5.19 a @ 120 Hz 5.9685 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
UCD1V471MNQ1ZD Nichicon UCD1V471MNQ1ZD -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 니치콘 UCD 쟁반 쓸모없는 470 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 550 ma @ 120 Hz 1.1 A @ 100 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.571 "(14.50mm) 0.535 "L x 0.535"W (13.60mm x 13.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
LGR2D821MELC30 Nichicon LGR2D821MELC30 5.6900
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 니치콘 lgr 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 200 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2 A @ 120 Hz 3 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-7998 귀 99 8532.22.0040 200
MAL212856687E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL212856687E3 -
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 128 SAL-RPM 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0.68 µF ± 20% 25 v 295ohm @ 100Hz - -55 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 7.7 ma @ 100 Hz 17 옴 0.205 "(5.20mm) 0.276 "L x 0.138"W (7.00mm x 3.50mm) 0.394 "(10.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
106CKE200M Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 106CKE200M 0.1470
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 CKE 대부분 활동적인 10 µF ± 20% 200 v 24.868ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 우회, 분리 75 ma @ 120 Hz 135 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
AHA336M50X16T-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) AHA336M50X16T-F 0.3939
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 아하 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 33 µF ± 20% 50 v 6ohm @ 120Hz 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차, 분리, 우회 60 ma @ 120 Hz 102 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.303 "(7.70mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
LGX2D681MELB30 Nichicon LGX2D681MELB30 4.9900
RFQ
 ECAD 2370 0.00000000 니치콘 LGX 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 200 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.98 A @ 120 Hz 2.97 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-7893 귀 99 8532.22.0040 200
381LQ222M160A032 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381LQ222M160A032 -
RFQ
 ECAD 1754 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381lq 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 160 v 98mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.9 a @ 120 Hz 4.06 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
AEH1012221M050R KYOCERA AVX AEH101221M050R 1.4500
RFQ
 ECAD 967 0.00000000 Kyocera avx aeh 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 140 ma @ 120 Hz 350 ma @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 500
EKMH500VND183MA63T Chemi-Con EKMH500VND183MA63T -
RFQ
 ECAD 5443 0.00000000 화학 화학 KMH 대부분 쓸모없는 18000 µF ± 20% 50 v 14mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.63 A @ 120 Hz 5.0004 a @ 100 kHz 0.886 "(22.50mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.559 "(65.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
ULD1V101MPD1TA Nichicon ULD1V101MPD1TA 0.1979
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 니치콘 uld 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 100 µf ± 20% 35 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 231 ma @ 120 Hz 330 ma @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 1,000
UTT1E331MPD Nichicon UTT1E331MPD 0.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 니치콘 utt 대부분 쓸모없는 330 µf ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - - 범용 178.8 ma @ 120 Hz 298 ma @ 100 kHz 400 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.453 "(11.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-3278 귀 99 8532.22.0020 3,000
B41607A8158M2 EPCOS - TDK Electronics B41607A8158M2 -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41607 대부분 쓸모없는 1600 µF ± 20% 63 v 28mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 자동차 9.7 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 - 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0040 1
B43505C5157M67 EPCOS - TDK Electronics B43505C5157M67 -
RFQ
 ECAD 6160 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43505 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 450 v 910mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 990 ma @ 100 Hz 1.07 옴 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 80
LGU2Z561MELA Nichicon lgu2z561mela 4.2000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 니치콘 lgu 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 180 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.67 A @ 120 Hz 2.505 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.181 "(30.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-2666 귀 99 8532.22.0040 250
ESH476M050AG3KA KEMET ESH476M050AG3KA 0.0963
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,500
ELD338M063AR4AA KEMET ELD338M063AR4AA 1.7129
RFQ
 ECAD 4437 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
MAL213655122E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL213655122E3 1.0175
RFQ
 ECAD 1871 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 136 RVI 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 819 ma @ 100 Hz 46 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 500
E81D630VGS822MA40N Chemi-Con E81D630VGS822MA40N -
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 화학 화학 81d 대부분 쓸모없는 - - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 200
LGU1H562MELB Nichicon lgu1h562melb 3.9000
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 니치콘 lgu 대부분 활동적인 5600 µF ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.95 a @ 120 Hz 3.3925 A @ 50kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
LNK2H822MSEJ Nichicon LNK2H822MSEJ 169.8210
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 니치콘 lnk 대부분 활동적인 8200 µF ± 20% 500 v - 5000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 24.5 A @ 120 Hz 34.3 a @ 10 kHz 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 7.480 "(190.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0085 5
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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