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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
E91F421VNT681MU50U United Chemi-Con E91F421VNT681MU50U -
RFQ
 ECAD 9819 0.00000000 United Chemi-Con U91F 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 420 v 141mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 3.2 A @ 120 Hz 4.576 A @ 100 kHz 0.984 "(25.00mm) 1.772 "DIA (45.00mm) 2.067 "(52.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -5 리드 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-E91F421VNT681MU50U 귀 99 8532.22.0055 64
B43416C9128A000 EPCOS - TDK Electronics B43416C9128A000 13.9539
RFQ
 ECAD 7744 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43416 대부분 활동적인 1200 µF -10%, +20% 360 v - - - 극선 - 범용 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
MALIEYH07AD539C02K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MALIEYH07AD539C02K -
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 Eyh 대부분 쓸모없는 39000 µF ± 20% 10 v 27mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.6 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 150
MAL215759479E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL215759479E3 7.2800
RFQ
 ECAD 977 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 157 Pum-Si 대부분 활동적인 47 µF ± 20% 500 v 3.54ohm @ 100Hz 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 2.93 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 4713phbk 귀 99 8532.22.0040 100
E36D101HLN822MC67U United Chemi-Con e36d101hln822mc67u -
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 United Chemi-Con U36D 대부분 활동적인 8200 µF ± 20% 100 v 18.2MOHM @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 6.92 A @ 120 Hz 9.688 A @ 3 kHz 0.875 "(22.22mm) 2.000 "50 (50.80mm) 2.625 "(66.68mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-E36D101HLN822MC67U 귀 99 8532.22.0055 49
B43252B2827M EPCOS - TDK Electronics B43252B2827M -
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43252 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.13 A @ 120 Hz 3.302 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43252B2827M000 귀 99 8532.22.0040 160
687LBB350M2EG Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 687lbb350m2eg -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 LBB 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 350 v 365.71MOHM @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.18 A @ 120 Hz 4.6746 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 40
BSNX630ELL1R8KHB5S United Chemi-Con BSNX630ELL1R8KHB5S -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 United Chemi-Con snx-bp 대부분 쓸모없는 1.8 µF ± 10% 63 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 59 ma @ 1 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 565-BSNX630ELL1R8KHB5S 귀 99 8532.22.0020 1,000
EEU-FM0J331B Panasonic Electronic Components EEU-FM0J331B 0.1014
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 FM-A 테이프 & t (TB) 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 341.25 MA @ 120 Hz 455 ma @ 100 kHz 130 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.500 "(12.70mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 귀 99 8532.22.0020 2,000
EST107M050AG3AA KEMET EST107M050AG3AA 0.1485
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 6,000
861221485018 Würth Elektronik 861221485018 13.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-AIE8 쟁반 활동적인 390 µF ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.35 A @ 120 Hz 3.243 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.890 "(48.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 732-6663 귀 99 8532.22.0040 50
B43644A9477M067 EPCOS - TDK Electronics B43644A9477M067 8.1513
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43644 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 400 v 200mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.09 a @ 100 Hz 290 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 495-B43644A9477M067 귀 99 8532.22.0040 160
EMVL250ARA101MHA0G Chemi-Con EMVL250ARA101MHA0G 0.9100
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 화학 화학 ALCHIP ™ -MVL 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 116 MA @ 120 Hz 125.28 ma @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.406 "(10.30mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MVA25VC102MK14TR Chemi-Con MVA25VC102MK14TR -
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 화학 화학 MVA 쟁반 쓸모없는 1000 µF ± 20% 25 v 431mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 820 ma @ 120 Hz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.531 "(13.50mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 120
E82D501VND561MA65U United Chemi-Con E82D501VND561MA65U 6.4295
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 United Chemi-Con - 대부분 활동적인 - 565-E82D501VND561MA65U 100
SLPX332M080A9P3 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLPX332M080A9P3 3.9400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLPX 대부분 활동적인 3300 µF ± 20% 80 v 101mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.23 A @ 120 Hz 4.04 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.969 "(50.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
ESE105M100AC3DA KEMET ESE105M100AC3DA 0.0440
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
6.3YXF2200MEFC12.5X20 Rubycon 6.3YXF2200MEFC12.5x20 0.2971
RFQ
 ECAD 3707 0.00000000 루비콘 YXF 대부분 새로운 새로운 아닙니다 2200 µF ± 20% 6.3 v - 8000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.04 a @ 120 Hz 1.3 a @ 100 kHz 62 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
E32D101CHS353TEE3U United Chemi-Con E32D101CHS353TEE3U 47.6863
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 United Chemi-Con U32d 대부분 활동적인 35 MF -10%, +50% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 5.669 "(144.00mm) - 섀시, 마운트 스터드 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-E32D101CHS353TEE3U 귀 99 8532.22.0085 16
E32D201LPN102WC79U Chemi-Con E32D201LPN102WC79U 21.3016
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 화학 화학 U32d 대부분 활동적인 1 MF -10%, +100% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.874 "(22.20mm) 2.000 "50 (50.80mm) 3.110 "(79.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-E32D201LPN102WC79U 귀 99 8532.22.0055 49
PEH534UBE3220M2 KEMET PEH534UBE3220M2 3.0880
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
B41896C4338M EPCOS - TDK Electronics B41896C4338M -
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41896 대부분 활동적인 3300 µF ± 20% 16 v 80mohm @ 120Hz 7000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 3.16 A @ 100 kHz 22 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41896C4338M000 귀 99 8532.22.0020 600
NLW40-50 Cornell Dubilier Electronics (CDE) NLW40-50 -
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) NLW 대부분 쓸모없는 40 µf -10%, +75% 50 v 5ohm @ 120Hz 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 138 MA @ 120 Hz 158.7 ma @ 10 kHz - 0.400 "dia x 0.880"L (10.16mm x 22.35mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 25
B41690A8208Q001 EPCOS - TDK Electronics B41690A8208Q001 -
RFQ
 ECAD 2824 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41690 쟁반 쓸모없는 2000 µF -10%, +30% 63 v 44mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 13.2 a @ 10 kHz 22 Mohms - 0.827 "DIA X 1.535"L (21.00mm x 39.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 - Rohs3 준수 1 (무제한) 495-B41690A8208Q001 쓸모없는 1
ESMH401VNN681MA50U United Chemi-Con ESMH401VNN681MA50U -
RFQ
 ECAD 1391 0.00000000 United Chemi-Con smh 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 400 v 366MOHM @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 3.04 a @ 120 Hz 4.3472 a @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-ESMH401VNN681MA50U 귀 99 8532.22.0040 200
ALF40G103EE063 KEMET ALF40G103EE063 8.2305
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 케멧 ALF40 대부분 활동적인 10000 µf ± 20% 63 v 60mohm @ 100Hz 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 5.69 a @ 100 Hz 5.81 A @ 10 kHz 53 Mohms 0.984 "(25.00mm) 1.575 "DIA (40.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 프레스 통해 방사형, can -press -fit -5 리드 ALF40G 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 72
400LXW68MEFR10X50 Rubycon 400LXW68MEFR10X50 3.7100
RFQ
 ECAD 431 0.00000000 루비콘 lxw 대부분 활동적인 68 µF ± 20% 400 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 640 ma @ 120 Hz 1.408 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1189-400LXW68MEFR10X50 귀 99 8532.22.0020 500
ELG229M016AT2AA KEMET ELG229M016AT2AA 3.0420
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
MAL211990502E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL211990502E3 1.8191
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 119 AHT-DIN 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF -10%, +50% 10 v 610mohm @ 100Hz 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 380 ma @ 100 Hz 490 Mohms - 0.394 "dia x 0.984"L (10.00mm x 25.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
ELH828M080AT5AA KEMET ELH828M080AT5AA 5.4631
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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