전화 : +86-0755-83501315
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![]() | E36D500HPN153MC48M | - | ![]() | 8366 | 0.00000000 | 화학 화학 | U36D | 대부분 | 쓸모없는 | 15000 µF | ± 20% | 50 v | 25.4mohm @ 120Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 5.13 A @ 120 Hz | 7.182 a @ 3 kHz | 0.875 "(22.22mm) | 2.000 "50 (50.80mm) | 1.875 "(47.63mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0055 | 49 | ||||
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![]() | DCMC903U016AC2B | 16.1700 | ![]() | 1585 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | DCMC | 대부분 | 활동적인 | 90000 µF | -10%, +75% | 16 v | 11mohm @ 120Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 13.5 a @ 120 Hz | 15.12 a @ 10 kHz | 0.500 "(12.70mm) | 1.375 "DIA (34.93mm) | 4.187 "(106.35mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 20 | ||||
![]() | ALF20C271DC450 | 5.8077 | ![]() | 4677 | 0.00000000 | 케멧 | ALF20 | 대부분 | 활동적인 | 270 µF | ± 20% | 450 v | 470mohm @ 100Hz | 15000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.68 A @ 100 Hz | 2.91 A @ 10 kHz | 322 Mohms | 0.886 "(22.50mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 프레스 통해 | 방사형, can -press -fit -4 리드 | ALF20C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | ||
![]() | B43501B5337M000 | - | ![]() | 1639 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43501 | 대부분 | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 450 v | 400mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.04 a @ 100 Hz | 490 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 2.047 "(52.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||
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![]() | EKMM401VSN221MR30S | - | ![]() | 9767 | 0.00000000 | United Chemi-Con | kmm | 대부분 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 400 v | 1.13ohm @ 120Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.1 A @ 120 Hz | 1.573 a @ 50 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.181 "(30.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 200 | ||||
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![]() | UHV1V221MPD | 0.7300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 니치콘 | UHV | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 220 µF | ± 20% | 35 v | - | 6000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 495 ma @ 120 Hz | 990 ma @ 100 kHz | 59 Mohms | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 3,000 | |||
![]() | B43508F2108M60 | - | ![]() | 1373 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 250 v | 120mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.23 A @ 100 Hz | 160 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508F2108M 60 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 80 | |||
![]() | PJ2W100MP51020R | 1.4900 | ![]() | 788 | 0.00000000 | Chinsan (엘리트) | PJ | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 10 µF | ± 20% | 450 v | - | 8000 시간 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 150 ma @ 120 Hz | 225 ma @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.846 "(21.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4191-PJ2W100MP51020RTB | 귀 99 | 8532.22.0020 | 800 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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