SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
50TWL1R5M5X11 Rubycon 50TWL1R5M5X11 0.0660
RFQ
ECAD 9409 0.00000000 루비콘 twl 대부분 활동적인 1.5 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,000
E32D630HLN823MDB7U Chemi-Con e32d630hln823mdb7u -
RFQ
ECAD 5189 0.00000000 화학 화학 U32d 대부분 활동적인 82000 µf ± 20% 63 v 6.2MOHM @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 29.93 A @ 120 Hz 33.5216 A @ 50kHz 1.125 "(28.58mm) 2.500 "DIA (63.50mm) 4.625 "(117.48mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-E32D630HLN823MDB7U 귀 99 8532.22.0085 20
NR301391U040ER2 Cornell Dubilier Electronics (CDE) NR301391U040ER2 -
RFQ
ECAD 1295 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) - 대부분 쓸모없는 다운로드 338-NR301391U040ER2 귀 99 8532.22.0020 1
RZW101M1HBK-0811S SURGE RZW101M1HBK-0811S 0.2900
RFQ
ECAD 998 0.00000000 급등하다 RZW 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 277.5 ma @ 120 Hz 555 ma @ 100 kHz 220 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 3A001 8532.22.0020 1,000
50LSQ10000MEFC36X50 Rubycon 50LSQ10000MEFC36X50 15.2830
RFQ
ECAD 5530 0.00000000 루비콘 LSQ 대부분 쓸모없는 10000 µf ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.3 A @ 120 Hz 4.644 A @ 10 kHz 0.500 "(12.70mm) 1.417 "DIA (36.00mm) 2.126 "(54.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 10
B43508E2477M67 EPCOS - TDK Electronics B43508E2477M67 -
RFQ
ECAD 1315 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 250 v 250mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.49 a @ 100 Hz 340 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508E2477M 67 귀 99 8532.22.0040 320
ELBG250ELL792AMN3S United Chemi-Con ELBG250ELL792AMN3S 2.6900
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 United Chemi-Con LBG 대부분 활동적인 7900 µF 0%, +30% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 2.975 A @ 120 Hz 3.5 a @ 100 kHz 24 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.299 "(33.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-ELBG250ELL792AMN3S 귀 99 8532.22.0020 500
E36D201HPN222MC54U United Chemi-Con E36D201HPN222MC54U 23.4200
RFQ
ECAD 98 0.00000000 United Chemi-Con U36D 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 200 v 67mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.05 a @ 120 Hz 5.67 a @ 3 kHz 0.875 "(22.22mm) 2.000 "50 (50.80mm) 2.125 "(53.98mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-E36D201HPN222MC54U 귀 99 8532.22.0055 49
ULD2W220MHD1TO Nichicon ULD2W220MHD1TO 2.2600
RFQ
ECAD 6637 0.00000000 니치콘 uld 컷 컷 (CT) 새로운 새로운 아닙니다 22 µF ± 20% 450 v - 20000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 240 ma @ 120 Hz 432 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
EEU-FK1E391L Panasonic Electronic Components EEU-FK1E391L 0.2244
RFQ
ECAD 8389 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 FK 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 25 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 645 ma @ 120 Hz 860 ma @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.630 "(16.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - 귀 99 8532.22.0020 200
517D336M050AA6AE3 Vishay Sprague 517D336M050AA6AE3 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Sprague 517d 대부분 쓸모없는 33 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.433 "(11.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
CGS822U025R4C Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS822U025R4C 25.4756
RFQ
ECAD 7546 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS 대부분 활동적인 8200 µF -10%, +75% 25 v 19mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 8.1 a @ 120 Hz 10.53 a @ 10 kHz - 1.375 "DIA (34.93mm) 4.125 "(104.78mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
ESK225M050AC3FA KEMET ESK225M050AC3FA 0.0440
RFQ
ECAD 5523 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
EKMH201LGB182MA80U Chemi-Con EKMH201LGB182MA80U -
RFQ
ECAD 5399 0.00000000 화학 화학 KMH 대부분 활동적인 1.8 MF ± 20% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.5 A @ 120 Hz 3.8 a @ 50 kHz 0.500 "(12.70mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 3.307 "(84.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-ECMH201LGB182MA80U 귀 99 8532.22.0040 1
UPM1E121MED1TA Nichicon upm1e121med1ta -
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 니치콘 UPM 테이프 & t (TB) 쓸모없는 120 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 275 MA @ 120 Hz 405 ma @ 10 kHz 200 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.650 "(16.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
337SML6R3M Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 337SML6R3M 0.1122
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 sml 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v 1.407ohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 우회, 분리 188 ma @ 120 Hz 282 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
UTM1C470MPD1TD Nichicon UTM1C470MPD1TD -
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 니치콘 UTM 테이프 & t (TB) 쓸모없는 47 µF ± 20% 16 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 500
B43501E2188M80 EPCOS - TDK Electronics B43501E2188M80 -
RFQ
ECAD 8585 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 1800 µF ± 20% 200 v 55mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.65 A @ 100 Hz 75 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
EKMH350VSN682MQ35S Chemi-Con EKMH350VSN682MQ35S -
RFQ
ECAD 3213 0.00000000 화학 화학 KMH 대부분 활동적인 6800 µF ± 20% 35 v 61mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.23 A @ 120 Hz 2.4084 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
LGN2E681MELC25 Nichicon LGN2E681MELC25 6.3800
RFQ
ECAD 3851 0.00000000 니치콘 lgn 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 250 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.7 A @ 120 Hz 2.55 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
EKMQ630ETD221MJ16S Chemi-Con EKMQ630ETD221MJ16S 1.0900
RFQ
ECAD 9425 0.00000000 화학 화학 KMQ 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 335 ma @ 120 Hz 502.5 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
EKMH101VSN722MA63T Chemi-Con EKMH101VSN722MA63T -
RFQ
ECAD 7788 0.00000000 화학 화학 KMH 대부분 쓸모없는 7200 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.559 "(65.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
80D472P050JE2DE3 Vishay Sprague 80D472P050JE2DE3 7.7615
RFQ
ECAD 3757 0.00000000 Vishay Sprague 80d 대부분 활동적인 4700 µF -10%, +30% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 400
CGS362T450W5L Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS362T450W5L 199.0577
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS 대부분 활동적인 3600 µF -10%, +50% 450 v 35mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 9.7 A @ 120 Hz 14.55 a @ 10 kHz - 2.500 "DIA (63.50mm) 5.625 "(142.88mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 1
B43305A2188M007 EPCOS - TDK Electronics B43305A2188M007 -
RFQ
ECAD 7059 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 1800 µF ± 20% 200 v 70mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.87 A @ 100 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
EKMH800VND722MA45T Chemi-Con EKMH800VND722MA45T -
RFQ
ECAD 2574 0.00000000 화학 화학 KMH 대부분 쓸모없는 7200 µF ± 20% 80 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.886 "(22.50mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
EKMH161VNN122MA30S United Chemi-Con EKMH161VNN122MA30S -
RFQ
ECAD 7095 0.00000000 United Chemi-Con KMH 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 160 v 207mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.44 A @ 120 Hz 3.66 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
516D108M016NR6AE3 Vishay Sprague 516D108M016NR6AE3 -
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 Vishay Sprague 516d 대부분 쓸모없는 1000 µF ± 20% 16 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 770 ma @ 120 Hz 885.5 ma @ 10 kHz - 0.394 "DIA X 1.024"L (10.00mm x 26.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
HT25V221MTA-5 Meritek HT25V21MTA-5 -
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 메이트크 ht 테이프 & t (TB) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 - - - - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2997-HT25V21MTA-5TB 귀 99 8532.22.0020 1
B41784A5477T000 EPCOS - TDK Electronics B41784A5477T000 -
RFQ
ECAD 1228 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 - 대부분 쓸모없는 - 495-B41784A5477T000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고