SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
EKMH101LGC183MDA0U Chemi-Con EKMH101LGC183MDA0U -
RFQ
ECAD 9800 0.00000000 화학 화학 KMH 대부분 활동적인 18 MF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 10.4 a @ 120 Hz 14.664 A @ 50kHz 1.102 "(28.00mm) 2.500 "DIA (63.50mm) - - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-KEKH101LGC183MDA0U 귀 99 8532.22.0040 1
TCG500T250L1G Cornell Dubilier Electronics (CDE) TCG500T250L1G -
RFQ
ECAD 5134 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) TCG 대부분 쓸모없는 50 µF -10%, +50% 250 v 2.45ohm @ 120Hz 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 607 ma @ 120 Hz 758.75 ma @ 2.4 kHz - 0.875 "dia x 1.375"L (22.22mm x 34.93mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 1
EKXN451ELL121ML35S Chemi-Con EKXN451ELL121ML35S 2.5633
RFQ
ECAD 1992 0.00000000 화학 화학 KXN 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 450 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 890 ma @ 120 Hz 2.0025 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.378 "(35.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-EKXN451ELL121ML35S 귀 99 8532.22.0020 500
EDH687M035A9RAA KEMET EDH687M035A9RAA 0.7623
RFQ
ECAD 3430 0.00000000 케멧 에드 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 590 ma @ 120 Hz 737.5 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.504 "L x 0.504"W (12.80mm x 12.80mm) 표면 표면 방사형, s -smd edh687m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
6.3YXG820MEFCT810X12.5 Rubycon 6.3YXG820MEFCT810X12.5 0.1399
RFQ
ECAD 1242 0.00000000 루비콘 YXG 테이프 & t (TB) 새로운 새로운 아닙니다 820 µF ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 519 ma @ 120 Hz 865 ma @ 100 kHz 80 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
E91S4H1VSN122MA90U Chemi-Con E91S4H1VSN122MA90U 12.8762
RFQ
ECAD 7812 0.00000000 화학 화학 - 대부분 활동적인 - 565-E91S4H1VSN122MA90U 100
LXZ35VB332M18X35LL Chemi-Con lxz35vb332m18x35ll -
RFQ
ECAD 5154 0.00000000 화학 화학 lxz 대부분 쓸모없는 3300 µF ± 20% 35 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.76 A @ 120 Hz 3.68 A @ 100 kHz 16 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.378 "(35.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
UPJ1J390MED Nichicon UPJ1J390MED -
RFQ
ECAD 6621 0.00000000 니치콘 UPJ 대부분 쓸모없는 39 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 190 ma @ 120 Hz 330 ma @ 10 kHz 450 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.630 "(16.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 4,000
MAL215919391E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL215919391E3 16.2305
RFQ
ECAD 3223 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 159 Pul-Si 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 500 v 360mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.02 A @ 120 Hz 2.828 A @ 10 kHz 270 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 50
B43504F2228M87 EPCOS - TDK Electronics B43504F228M87 -
RFQ
ECAD 6028 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 200 v 65mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.43 A @ 100 Hz 80 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.055 "(52.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
UVK1J472MRD Nichicon UVK1J472MRD 4.5800
RFQ
ECAD 228 0.00000000 니치콘 UVK 대부분 쓸모없는 4700 µF ± 20% 63 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.4 a @ 120 Hz 3.91 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 250
KY25VB471M10X16LL United Chemi-Con KY25VB471M10X16LL 0.1452
RFQ
ECAD 8172 0.00000000 United Chemi-Con ky 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 605 ma @ 120 Hz 1.21 A @ 100 kHz 60 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.630 "(16.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
LLS2W101MELA Nichicon lls2w101mela 3.8100
RFQ
ECAD 42 0.00000000 니치콘 lls 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 970 ma @ 120 Hz 1.3871 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 0.984 "(25.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-2599 귀 99 8532.22.0040 250
ESK105M200AC3AA KEMET ESK105M200AC3AA 0.0407
RFQ
ECAD 2260 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 10,000
MAL214666152E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL21466152E3 1.5150
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 146 RTI 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.4 a @ 100 Hz 33 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
EEE-TP1K391M Panasonic Electronic Components EEE-TP1K391M 3.2000
RFQ
ECAD 250 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 TP 테이프 & tr (TR) 활동적인 390 µF ± 20% 80 v 100khm @ 100khz 125 ° C @ 3000 시간 -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차, 리플 고온 로우 1.425 A @ 120 Hz 1.9 a @ 100 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd EEE-TP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 125
MAL203865682E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL203865682E3 -
RFQ
ECAD 5654 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 038 RSU 대부분 쓸모없는 6800 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.52 A @ 100 Hz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
UVR1E100MDD1TD Nichicon UVR1E100MDD1TD 0.0646
RFQ
ECAD 2 0.00000000 니치콘 UVR 테이프 & t (TB) 쓸모없는 10 µF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 55 MA @ 120 Hz 110 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 -uvr1e100mdd1td 귀 99 8532.22.0020 2,000
LLS1C273MELB Nichicon LLS1C273MELB 3.0956
RFQ
ECAD 5308 0.00000000 니치콘 lls 대부분 활동적인 27000 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.95 A @ 120 Hz 5.6925 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
MAL250156153E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL250156153E3 240.3886
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 501 PGM-ST 상자 활동적인 15000 µF ± 20% 400 v 15mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 26.1 a @ 100 Hz 39.15 a @ 10 kHz 12 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.008 "DIA (76.40mm) 8.693 "(220.80mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 56-MAL250156153E3 귀 99 8532.22.0085 12
B43508B9157M80 EPCOS - TDK Electronics B43508B9157M80 -
RFQ
ECAD 2772 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 400 v 820mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 770 ma @ 100 Hz 1.15 옴 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.071 "(27.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508B9157M 80 귀 99 8532.22.0040 260
125MS22ABMK1STD KEMET 125ms22abmk1std -
RFQ
ECAD 7877 0.00000000 케멧 * 쟁반 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 72
E36F401CPN472MEE3U Chemi-Con E36F401CPN472MEE3U 31.2038
RFQ
ECAD 8947 0.00000000 화학 화학 U36f 대부분 활동적인 4.7 MF ± 20% 400 v 18mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 18.8 A @ 120 Hz 28.2 a @ 3 kHz 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 5.630 "(143.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-E36F401CPN472MEE3U 귀 99 8532.22.0085 16
EMZR100ARA151ME61G United Chemi-Con EMZR100ARA151ME61G 0.7100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 United Chemi-Con ALCHIP ™ -MZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 10 v 360mohm @ 100khz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 96 MA @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.240 "(6.10mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
EEE-1CA331UAP Panasonic Electronic Components EEE-1CA331UAP 0.8200
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 에스 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 16 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 320 ma @ 120 Hz 544 ma @ 10 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.402 "(10.20mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd EEE-1CA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
EKMH100VSN153MQ25U United Chemi-Con EKMH100VSN153MQ25U -
RFQ
ECAD 2027 0.00000000 United Chemi-Con KMH 대부분 활동적인 15000 µF ± 20% 10 v 55mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 1.96 A @ 120 Hz 2.1168 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 0.984 "(25.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-ekmh100vsn153mq25u 귀 99 8532.22.0040 200
ELD277M250AR1AA KEMET ELD277M250AR1AA -
RFQ
ECAD 1744 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
50NSEV0.47M4X5.5 Rubycon 50NSEV0.47M4X5.5 0.1577
RFQ
ECAD 9533 0.00000000 루비콘 NSEV 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.47 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 양극성 - 범용 4 ma @ 120 Hz 6 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
EEE-HAJ331XAP Panasonic Electronic Components eee-haj331xap 0.5600
RFQ
ECAD 4741 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 하아 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 330 µf ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 105 ma @ 120 Hz 178.5 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.303 "(7.70mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Eee-Haj 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
UST1E100MDD Nichicon UST1E100MDD -
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 니치콘 ust 대부분 쓸모없는 10 µF ± 20% 25 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 33 Ma @ 120 Hz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.315 "(8.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고