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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
E36F401CDN682MED0U Chemi-Con e36f401cdn682med0u 64.4125
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 화학 화학 U36f 대부분 활동적인 6.8 MF ± 20% 400 v - 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 5.118 "(130.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-e36f401cdn682med0u 귀 99 8532.22.0085 16
ELXM3B1VSN181MQ30S Chemi-Con ELXM3B1VSN181MQ30S 3.8247
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 화학 화학 LXM 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 315 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 960 ma @ 120 Hz 1.3728 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
450USC56MEFC20X25 Rubycon 450USC56MEFC20X25 1.7955
RFQ
 ECAD 5026 0.00000000 루비콘 USC 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 610 ma @ 120 Hz 854 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
ALF20G221EC500 KEMET ALF20G221EC500 6.5963
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 케멧 ALF20 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 500 v 571mohm @ 100Hz 18000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.07 A @ 100 Hz 3.82 a @ 10 kHz 426 Mohms 0.984 "(25.00mm) 1.575 "DIA (40.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 프레스 통해 방사형, can -press -fit -5 리드 ALF20G 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 72
B43644E5337M000 EPCOS - TDK Electronics B43644E5337M000 7.8444
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43644 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 450 v 310mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.71 A @ 100 Hz 470 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 495-B43644E5337M000 귀 99 8532.22.0040 260
NEV2200M63HI NTE Electronics, Inc NEV2200M63HI 3.0200
RFQ
 ECAD 766 0.00000000 NTE Electronics, Inc 네브 가방 활동적인 2200 µF ± 20% 63 v 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.693 "(43.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 2368-NEV2200M63HI 귀 99 8532.22.0020 1
TVX2V4R7MCD Nichicon TVX2V4R7MCD -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 니치콘 TVX 대부분 쓸모없는 4.7 µF ± 20% 350 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C - - 범용 46 MA @ 120 Hz - 0.394 "dia x 0.906"L (10.00mm x 23.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
380LX153M016A202 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 380LX153M016A202 -
RFQ
 ECAD 6474 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 380lx 대부분 쓸모없는 15000 µF ± 20% 16 v 55mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.2 A @ 120 Hz 3.7 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
UUG1H221MNQ1ZD Nichicon uug1h221mnq1zd -
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 니치콘 uug 대부분 쓸모없는 220 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 450 ma @ 120 Hz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.571 "(14.50mm) 0.535 "L x 0.535"W (13.60mm x 13.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
450TXW33MEFR12.5X30 Rubycon 450TXW33MEFR12.5x30 -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 루비콘 TXW 대부분 활동적인 33 µF ± 20% 450 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 370 ma @ 120 Hz 555 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.280 "(32.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1189-450TXW33MEFR12.5x30 귀 99 8532.22.0020 500
ESH107M200AM7AA KEMET ESH107M200AM7AA 1.4700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 케멧 ESH 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 350 ma @ 120 Hz 560 ma @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 ESH107M 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
860080380027 Würth Elektronik 860080380027 1.9800
RFQ
 ECAD 392 0.00000000 Würth Elektronik wcap-atli 컷 컷 (CT) 활동적인 3900 µF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.52 A @ 100 kHz 18 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
678D227M025CG4D Vishay Sprague 678d227m025cg4d 4.0821
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 Vishay Sprague 678d 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 25 v 300mohm @ 20Hz 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 413 ma @ 120 Hz 590 ma @ 100 kHz 100 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 355
CGS443U060X5L Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS443U060X5L 92.1110
RFQ
 ECAD 5414 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS 대부분 활동적인 44000 µf -10%, +75% 60 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 - - - - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2266-CGS443U060X5L 귀 99 8532.22.0085 1
B43041A9336M EPCOS - TDK Electronics B43041A9336M -
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43041 대부분 쓸모없는 33 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 140 ma @ 120 Hz 280 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 375
EKMH251VNN681MQ50U United Chemi-Con EKMH251VNN681MQ50U -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 United Chemi-Con KMH 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 250 v 244mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 1.84 a @ 120 Hz 2.76 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-ekmh251vnn681mq50u 귀 99 8532.22.0040 200
B43540A9337M002 EPCOS - TDK Electronics B43540A9337M002 -
RFQ
 ECAD 9798 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 180mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.55 A @ 100 Hz 230 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
ALS81U513NP100 KEMET ALS81U513NP100 45.1375
RFQ
 ECAD 4715 0.00000000 케멧 ALS81 대부분 활동적인 51000 µF ± 20% 100 v 100Hz @ 11Mohm 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 24.7 a @ 100 Hz 27 a @ 10 kHz 10 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.031 "DIA (77.00mm) 5.827 "(148.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS81U 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
EXV157M080A9RAA KEMET EXV157M080A9RAA -
RFQ
 ECAD 7970 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
E36D551HPC152MDE3U Chemi-Con E36D551HPC152MDE3U -
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 화학 화학 U36D 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 550 v 176mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 5.46 A @ 120 Hz 7.644 a @ 3 kHz 1.125 "(28.58mm) 2.500 "DIA (63.50mm) 5.625 "(142.88mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-E36D551HPC152MDE3U 귀 99 8532.22.0085 20
381LX331M400A032 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381LX331M400A032 6.9100
RFQ
 ECAD 537 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381lx 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 400 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.4 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 80
E36F351CSS792TEE3U Chemi-Con E36F351CSS792TEE3U 60.3800
RFQ
 ECAD 4579 0.00000000 화학 화학 U36f 대부분 활동적인 7.9 MF -10%, +50% 350 v - 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 5.669 "(144.00mm) - 섀시, 마운트 스터드 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-E36F351CSS792TEE3U 귀 99 8532.22.0085 9
35YXG1200MEFC12.5X30 Rubycon 35YXG1200MEFC12.5x30 0.5674
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 루비콘 YXG 대부분 새로운 새로운 아닙니다 1200 µF ± 20% 35 v - 6000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.59 A @ 120 Hz 2.65 A @ 100 kHz 24 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 600
TCX102U040L1L Cornell Dubilier Electronics (CDE) TCX102U040L1L -
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) TCX 대부분 쓸모없는 1000 µF -10%, +75% 40 v 88mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.29 A @ 120 Hz 2.61 A @ 2.4 kHz - 0.875 "dia x 1.625"L (22.22mm x 41.28mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 1
ALS80H114QC040 KEMET ALS80H114QC040 34.0217
RFQ
 ECAD 8035 0.00000000 케멧 ALS80 대부분 활동적인 110000 µF ± 20% 40 v 13mohm @ 100Hz 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 19.4 a @ 100 Hz 20.4 a @ 10 kHz 13 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 2.717 "(69.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS80H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 8
400USG470MEFCSN35X30 Rubycon 400USG470MEFCSN35X30 9.1300
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 루비콘 USG 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 400 v - 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.39 A @ 120 Hz 3.346 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
MAL214660681E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL214660681E3 1.1445
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 146 RTI 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 35 v - 125 ° C @ 3000 시간 -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.04 a @ 100 Hz 43 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
B43601A5187M67 EPCOS - TDK Electronics B43601A5187M67 -
RFQ
 ECAD 4006 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43601 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 450 v 600mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.33 A @ 100 Hz 850 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43601A5187M067 귀 99 8532.22.0040 320
EEE-FT1A152AV Panasonic Electronic Components EEE-FT1A152AV 1.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ft, 진동 반 테이프 & tr (TR) 활동적인 1500 µF ± 20% 10 v 60mohm @ 100khz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차, 리플 고온 로우 833 ma @ 120 Hz 1.19 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.425 "(10.80mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd eee-ft 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MAL210217221E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL210217221E3 24.7779
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 102 Phr-St 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 450 v 503mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.1 A @ 100 Hz 313 Mohms 0.504 "(12.80mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.744 "(69.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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