SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
E36D750LPN253UEA5N United Chemi-Con E36D750LPN253UEA5N -
RFQ
ECAD 1106 0.00000000 United Chemi-Con U36D 대부분 쓸모없는 25000 µf -10%, +75% 75 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.250 "(31.75mm) 3.000 "dia (76.20mm) 4.125 "(104.78mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 16
EMHS800ARA561MMN0S Chemi-Con EMHS800ARA561MMN0S 2.1798
RFQ
ECAD 8604 0.00000000 화학 화학 ALCHIP ™ -MHS 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 80 v 59mohm @ 100khz 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차, 리플 고온 로우 1.15 a @ 120 Hz 2.3 A @ 100 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.846 "(21.50mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-EMHS800ARA561MMN0S 귀 99 8532.22.0020 600
ECE-A1HKA100 Panasonic Electronic Components ECE-A1HKA100 0.2600
RFQ
ECAD 31 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 대부분 활동적인 10 µF ± 20% 50 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 35 MA @ 120 Hz 59.5 ma @ 10 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.276 "(7.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 ECE-A1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
PEH169UK415VMU2 KEMET PEH169UK415VMU2 48.1429
RFQ
ECAD 8325 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 24
B43505G2477M67 EPCOS - TDK Electronics B43505G2477M67 -
RFQ
ECAD 3397 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43505 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 200 v 280mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.7 A @ 100 Hz 330 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
LKG1H152MESYCK Nichicon lkg1h152mesyck 3.5779
RFQ
ECAD 6638 0.00000000 니치콘 lkg 대부분 마지막으로 마지막으로 1500 µF ± 20% 50 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 2.2 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
UPJ1C391MPD Nichicon UPJ1C391MPD 0.1894
RFQ
ECAD 7238 0.00000000 니치콘 UPJ 대부분 새로운 새로운 아닙니다 390 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 570 ma @ 120 Hz 730 ma @ 10 kHz 160 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.827 "(21.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
B43888C4475M EPCOS - TDK Electronics B43888C4475M -
RFQ
ECAD 6090 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43888 대부분 활동적인 4.7 µF ± 20% 350 v - - - 극선 - 범용 150 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43888C4475M000 귀 99 8532.22.0020 3,000
EKMM401VSN331MA30T Chemi-Con EKMM401VSN331MA30T -
RFQ
ECAD 1931 0.00000000 화학 화학 kmm 대부분 쓸모없는 330 µf ± 20% 400 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.44 a @ 120 Hz 2.0592 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
B43564A4278M7 EPCOS - TDK Electronics B43564A4278M7 -
RFQ
ECAD 6866 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43564 대부분 활동적인 2700 µF ± 20% 350 v 59mohm @ 100Hz 15000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 8.8 A @ 100 Hz 47 Mohms 1.122 "(28.50mm) 2.532 "dia (64.30mm) 3.217 "(81.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43564A4278M007 귀 99 8532.22.0085 50
UPJ1K470MPD Nichicon UPJ1K470MPD 0.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 니치콘 UPJ 대부분 새로운 새로운 아닙니다 47 µF ± 20% 80 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 175 ma @ 120 Hz 295 ma @ 10 kHz 390 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.630 "(16.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
50YXH470MEFCGC16X16 Rubycon 50YXH470MEFCGC16X16 0.4813
RFQ
ECAD 4958 0.00000000 루비콘 YXH 테이프 & t (TB) 새로운 새로운 아닙니다 470 µF ± 20% 50 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 929.5 ma @ 120 Hz 1.69 A @ 100 kHz 55 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 600
B41691B5158Q7 EPCOS - TDK Electronics B41691B5158Q7 -
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41691 대부분 쓸모없는 1500 µF -10%, +30% 25 v 69mohm @ 100Hz - - 극선 - 자동차 4.6 a @ 10 kHz 35 Mohms - 0.709 "DIA X 1.181"L (18.00mm x 30.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 320
CD050M220F6BPE50V00A Suscon CD050M220F6BPE50V00A 0.3970
RFQ
ECAD 9434 0.00000000 서콘 CD 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 50 v 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 42 ma @ 120 Hz 120 ma @ 100 kHz 700 Mohms 0.315 "dia (8.00mm) 0.256 "(6.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 4491-CD050M220F6BPE50V00AT 10
MAL210178473E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL210178473E3 71.1750
RFQ
ECAD 1252 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 101 Phr-St 대부분 활동적인 47000 µF ± 20% 63 v 10mohm @ 100Hz 15000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 15.6 a @ 100 Hz 8 Mohms 1.122 "(28.50mm) 2.559 "DIA (65.00mm) 4.358 "(110.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 16
381LX121M315H012 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381LX121M315H012 1.9703
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381lx 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 315 v 1.66ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 800 ma @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
MAL215947101E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL215947101E3 6.7032
RFQ
ECAD 8643 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 159 Pul-Si 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 450 v 1.8ohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 710 ma @ 120 Hz 1.05 옴 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
AVS226M25D16B-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) AVS226M25D16B-F -
RFQ
ECAD 2612 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) AVS 대부분 sic에서 중단되었습니다 22 µF ± 20% 25 v 10.6ohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 AEC-Q200 자동차, 분리, 우회 55 MA @ 120 Hz 93.5 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.213 "(5.40mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
REA05113R3M050K KYOCERA AVX REA05113R3M050K 0.2400
RFQ
ECAD 2385 0.00000000 Kyocera avx rea 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 µF ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 31 ma @ 120 Hz 49.6 ma @ 10 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.472 "(12.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2,000
MALREKB05AA215J00K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MALREKB05AA215J00K -
RFQ
ECAD 8714 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 EKB 대부분 쓸모없는 15 µF ± 20% 63 v 8.84ohm @ 120Hz 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 68 ma @ 120 Hz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 7,000
PEH200VU433AQB2 KEMET PEH200VU433AQB2 46.3650
RFQ
ECAD 2365 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 12
80ZLH56MEFCT78X11.5 Rubycon 80ZLH56MEFCT78X11.5 0.1327
RFQ
ECAD 8774 0.00000000 루비콘 Zlh 테이프 & t (TB) 활동적인 56 µF ± 20% 80 v - 8000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 231 ma @ 120 Hz 360 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
ALS41C683NP063 KEMET ALS41C683NP063 -
RFQ
ECAD 4693 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
UVP1E100MDD1TA Nichicon UVP1E100MDD1TA 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 니치콘 UVP 컷 컷 (CT) 쓸모없는 10 µF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 양극성 - 범용 42 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
400VXT820MEFCSN30X50 Rubycon 400VXT820MEFCSN30X50 16.5500
RFQ
ECAD 3049 0.00000000 루비콘 vxt 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 400 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.54 A @ 120 Hz 3.556 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1189-400VXT820MEFCSN30X50 귀 99 8532.22.0040 100
UEP2A3R3MED Nichicon uep2a3r3med 0.6300
RFQ
ECAD 844 0.00000000 니치콘 uep 대부분 쓸모없는 3.3 µF ± 20% 100 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 양극성 - 범용 25 ma @ 120 Hz 50 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 4,000
ETOR351CTN682MEG8U United Chemi-Con etor351ctn682meg8u 74.7478
RFQ
ECAD 4592 0.00000000 United Chemi-Con uTor 대부분 활동적인 6.8 MF ± 20% 350 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 6.693 "(170.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-ETOR351CTN682MEG8U 귀 99 8532.22.0085 9
400LSW2200MNB77X101 Rubycon 400LSW2200MNB77X101 -
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 루비콘 LSW 대부분 쓸모없는 2200 µF ± 20% 400 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.1 A @ 120 Hz 4.838 A @ 10 kHz 1.236 "(31.40mm) 3.032 "DIA (77.00mm) 4.094 "(104.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 10
ESY127M050AG8EA KEMET ESY127M050AG8EA 0.1474
RFQ
ECAD 2093 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
B43866C2336M EPCOS - TDK Electronics B43866C2336M -
RFQ
ECAD 6967 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43866 대부분 활동적인 33 µF ± 20% 250 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 280 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43866C2336M000 귀 99 8532.22.0020 750
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고