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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
B43457A2338M000 EPCOS - TDK Electronics B43457A2338M000 -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43457 대부분 활동적인 3300 µF ± 20% 250 v - 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 - - - - 섀시, 마운트 스터드 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 72
B41868W5337M004 EPCOS - TDK Electronics B41868W5337M004 -
RFQ
 ECAD 6561 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 - 대부분 쓸모없는 - 495-B41868W5337M004 1
EKMH500VSN682MA30S United Chemi-Con EKMH500VSN682MA30S 4.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 United Chemi-Con KMH 대부분 활동적인 6800 µF ± 20% 50 v 49mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.25 A @ 120 Hz 3.51 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
E32D350HPN154MCE3U Chemi-Con E32D350HPN154MCE3U 26.2086
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 화학 화학 U32d 대부분 활동적인 150 MF ± 20% 35 v 5.2MOHM @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 33.12 a @ 120 Hz 37.0944 a @ 50 kHz 0.874 "(22.20mm) 2.000 "50 (50.80mm) 5.630 "(143.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-E32D350HPN154MCE3U 귀 99 8532.22.0055 49
ALS30A222MF350 KEMET ALS30A222MF350 33.5606
RFQ
 ECAD 8307 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 16
UMF1V2R2MDD Nichicon UMF1V2R2MDD -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 니치콘 음 대부분 쓸모없는 2.2 µF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 25 ma @ 120 Hz 50 ma @ 100 kHz 5 옴 0.059 "(1.50mm) 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
LNT1K223MSEB Nichicon lnt1k23mseb 35.5572
RFQ
 ECAD 5896 0.00000000 니치콘 lnt 대부분 활동적인 22000 µF ± 20% 80 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 8.4 A @ 120 Hz 12.6 a @ 10 kHz 1.126 "(28.60mm) 2.500 "DIA (63.50mm) 4.055 "(103.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0085 25
MAL225967151E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL225967151E3 5.1030
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 259 PHM-SI 상자 활동적인 150 µF ± 20% 450 v 750mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.15 a @ 100 Hz 1.725 a @ 10 kHz 520 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 56-MAL225967151E3 귀 99 8532.22.0040 100
B43540C5277M87 EPCOS - TDK Electronics B43540C5277M87 -
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 450 v 400mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.96 A @ 100 Hz 510 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.252 "(57.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 230
B43504D9227M002 EPCOS - TDK Electronics B43504D9227M002 -
RFQ
 ECAD 9950 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 400mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.11 a @ 100 Hz 500 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
450HXH150MEPASN20X40 Rubycon 450HXH150MEPASN20X40 6.2000
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 루비콘 hxh 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 450 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.16 A @ 120 Hz 1.624 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1189-450HXH150MEPASN20X40 200
ESMH800VSN562MR45U Chemi-Con ESMH800VSN562MR45U -
RFQ
 ECAD 2075 0.00000000 화학 화학 smh 대부분 활동적인 5600 µF ± 20% 80 v 44mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 4.55 A @ 120 Hz 5.46 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-ESMH800VSN562MR45U 귀 99 8532.22.0040 200
LGC2H221MELC25 Nichicon LGC2H221MELC25 8.7300
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 니치콘 LGC 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 500 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.2 a @ 120 Hz 1.716 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.083 "(27.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
EKMH251VSN561MR35S United Chemi-Con EKMH251VSN561MR35S -
RFQ
 ECAD 2091 0.00000000 United Chemi-Con KMH 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 250 v 296mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.79 a @ 120 Hz 2.685 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
REH1222330M350K KYOCERA AVX ReH1222330M350K 1.1200
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Kyocera avx reh 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 350 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 24 ma @ 120 Hz 160 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.945 "(24.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 500
ALS40A332NP415 KEMET ALS40A332NP415 62.5179
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
EKMH630VSN472MQ50S United Chemi-Con EKMH630VSN472MQ50S 4.6000
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 United Chemi-Con KMH 대부분 활동적인 4700 µF ± 20% 63 v 53mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.86 A @ 120 Hz 3.432 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
478LMU050M2BH Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 478LMU050M2BH -
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 LMU 대부분 쓸모없는 4700 µF ± 20% 50 v 88.18mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.5 A @ 120 Hz 3.125 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0040 130
LGN2D102MELA45 Nichicon LGN2D102MELA45 5.5600
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 니치콘 lgn 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 200 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.3 A @ 120 Hz 3.45 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 250
ALA7DA181DC600 KEMET ALA7DA181DC600 13.1900
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 케멧 ala7d 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 600 v 714mohm @ 100Hz 15000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.8 A @ 100 Hz 3.7 a @ 10 kHz 494 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Ala7da 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 399-ALA7DA181DC600 귀 99 8532.22.0040 100
MAL225982821E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL225982821E3 4.5251
RFQ
 ECAD 2651 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 259 PHM-SI 상자 활동적인 820 µF ± 20% 200 v 150mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.99 A @ 100 Hz 4.485 A @ 10 kHz 90 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 56-MAL225982821E3 귀 99 8532.22.0040 100
860010373008 Würth Elektronik 860010373008 0.1400
RFQ
 ECAD 296 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-ATG8 컷 컷 (CT) 활동적인 150 µF ± 20% 16 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 253 ma @ 120 Hz 349.14 ma @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,500
400QXW150MEFR14.5X50 Rubycon 400QXW150MEFR14.5x50 -
RFQ
 ECAD 9332 0.00000000 루비콘 QXW 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 940 ma @ 120 Hz 1.41 A @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.571 "DIA (14.50mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1189-400QXW150MEFR14.5x50 귀 99 8532.22.0020 500
865080443008 Würth Elektronik 865080443008 0.2700
RFQ
 ECAD 767 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-ASLI 테이프 & tr (TR) 활동적인 56 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 149.5 ma @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 540 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
B41896C6566M006 EPCOS - TDK Electronics B41896C6566M006 -
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41896 대부분 마지막으로 마지막으로 56 µF ± 20% 50 v 2.256ohm @ 120Hz 125 ° C @ 2500 시간 -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 440 ma @ 100 kHz 319 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - 495-B41896C6566M006 귀 99 8532.22.0020 1
E36D101LPN582UCA5U Chemi-Con E36D101LPN582UCA5U 18.3886
RFQ
 ECAD 1832 0.00000000 화학 화학 U36D 대부분 활동적인 5.8 MF -10%, +75% 100 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 0.874 "(22.20mm) 2.000 "50 (50.80mm) 4.134 "(105.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 적용 적용 수 할 565-E36D101LPN582UCA5U 귀 99 8532.22.0055 49
EEU-ED2W470E Panasonic Electronic Components EEU-ED2W470E -
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ED-A 대부분 쓸모없는 47 µF ± 20% 450 v - 10000 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 400 ma @ 120 Hz 1 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - 10-EEU-ED2W470E 귀 99 8532.22.0020 1
ESE227M063AH2AA KEMET ESE227M063AH2AA 0.1650
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
VHT.1M50 NTE Electronics, Inc VHT.1M50 0.1100
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 NTE Electronics, Inc VHT 가방 활동적인 0.1 µF ± 20% 50 v 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.433 "(11.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 2368-VHT.1M50 귀 99 8532.22.0020 1
187LBB350M2CD Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 187LBB350M2CD -
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 LBB 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 350 v 1.38155ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.14 A @ 120 Hz 1.6758 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 70
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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