SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
AFK336M25D16B-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) AFK336M25D16B-F -
RFQ
ECAD 2040 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) AFK 대부분 sic에서 중단되었습니다 33 µF ± 20% 25 v 360mohm @ 100khz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차, 분리, 우회 180 ma @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.307"W (6.60mm x 7.80mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
ESY157M016AG3AA KEMET ESY157M016AG3AA 0.1155
RFQ
ECAD 8148 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 6,000
UHD1V152MHD Nichicon UHD1V152MHD 2.0500
RFQ
ECAD 4493 0.00000000 니치콘 UHD 대부분 새로운 새로운 아닙니다 1500 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.72 a @ 120 Hz 3.4 a @ 100 kHz 15 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
B43501E277M87 EPCOS - TDK Electronics B43501E277M87 -
RFQ
ECAD 6951 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 420 v 490mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.71 A @ 100 Hz 590 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
MALIEYN07LB527B02K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components Malieyn07LB527B02K -
RFQ
ECAD 4689 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 Eyn 대부분 쓸모없는 27000 µF ± 20% 6.3 v 27mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.85 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
LNK2V472MSEH Nichicon LNK2V472MSEH 56.4420
RFQ
ECAD 6991 0.00000000 니치콘 lnk 대부분 활동적인 4700 µF ± 20% 350 v - 5000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 14.2 a @ 120 Hz 19.88 a @ 10 kHz 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 3.543 "(90.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0085 5
50MS50.33MEFCT54X5 Rubycon 50ms50.33MEFCT54X5 -
RFQ
ECAD 3218 0.00000000 루비콘 MS5 테이프 & t (TB) 쓸모없는 0.33 µF ± 20% 50 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 0.098 "(2.50mm) 0.157 "DIA (4.00mm) 0.256 "(6.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 5,000
MAL213826681E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL213826681E3 1.6020
RFQ
ECAD 4339 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 138 AML 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 25 v 360mohm @ 100khz 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 자동차 580 ma @ 100 Hz 250 Mohms - 0.394 "DIA X 1.181"L (10.00mm x 30.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
LGN2W121MELZ35 Nichicon LGN2W121MELZ35 5.4000
RFQ
ECAD 7594 0.00000000 니치콘 lgn 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 720 ma @ 120 Hz 1.0296 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 250
HVMLS133M010EK0C Cornell Dubilier Electronics (CDE) HVMLS133M010EK0C -
RFQ
ECAD 3552 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) MLS 대부분 활동적인 13000 µF ± 20% 10 v 81mohm @ 120Hz 10000 시간 @ 85 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 12.2 a @ 120 Hz 13.3 a @ 20 kHz 1.000 "(25.40mm) 1.500 "L x 1.750"W (38.10mm x 44.45mm) 0.500 "(12.70mm) - 구멍을 구멍을 플랫 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 10
EKMQ201ELL221MLP1S Chemi-Con EKMQ201ELL221MLP1S 1.9728
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 화학 화학 KMQ 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 500 ma @ 120 Hz 750 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
B41252B8188M EPCOS - TDK Electronics B41252B8188M 1.2989
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41252 대부분 활동적인 1800 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.69 a @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41252B8188M000 귀 99 8532.22.0040 260
CGS783U040X6L Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS783U040X6L 93.8925
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS 대부분 활동적인 78000 µF -10%, +75% 40 v 9mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 22.7 a @ 120 Hz 29.51 A @ 10 kHz - 3.000 "dia (76.20mm) 6.625 "(168.28mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 20
LGR2E271MELZ35 Nichicon LGR2E271MELZ35 3.9800
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 니치콘 lgr 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 250 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.1 A @ 120 Hz 1.65 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-7936 귀 99 8532.22.0040 250
E36D401HPN222MCB7U United Chemi-Con E36D401HPN222MCB7U -
RFQ
ECAD 5900 0.00000000 United Chemi-Con U36D 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 400 v 75mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 6.34 A @ 120 Hz 8.876 a @ 3 kHz 0.875 "(22.22mm) 2.000 "50 (50.80mm) 4.625 "(117.48mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-E36D401HPN222MCB7U 귀 99 8532.22.0055 49
B43231C5187M EPCOS - TDK Electronics B43231C5187M -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43231 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 450 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 980 ma @ 120 Hz 1.519 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43231C5187M000 귀 99 8532.22.0040 120
200TXW68MEFC10X25 Rubycon 200TXW68MEFC10X25 -
RFQ
ECAD 1868 0.00000000 루비콘 TXW 대부분 쓸모없는 68 µF ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 430 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.083 "(27.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
ALS81C562QM500 KEMET ALS81C562QM500 85.4735
RFQ
ECAD 7527 0.00000000 케멧 ALS81 대부분 활동적인 5600 µF ± 20% 500 v 43mohm @ 100Hz 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 16.2 a @ 100 Hz 24.5 a @ 10 kHz 32 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 5.236 "(133.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS81C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 8
ALS70C514NS040 KEMET ALS70C514NS040 84.4802
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 케멧 ALS70 대부분 활동적인 510000 µF ± 20% 40 v 7mohm @ 100Hz 20000 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 34.1 a @ 100 Hz 34.9 a @ 10 kHz 8 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.031 "DIA (77.00mm) 7.717 "(196.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS70C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
ALS80C753QP100 KEMET ALS80C753QP100 61.9527
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 케멧 ALS80 대부분 활동적인 75000 µF ± 20% 100 v 8mohm @ 100Hz 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 30.3 a @ 100 Hz 32.7 a @ 10 kHz 9 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 5.827 "(148.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 8
MAL214699607E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL214699607E3 2.8739
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 146 CTI 테이프 & tr (TR) 활동적인 2200 µF ± 20% 25 v - 125 ° C @ @ 6000 -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.16 A @ 100 Hz 1.66 A @ 100 kHz 35 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.630 "L x 0.630"W (16.00mm x 16.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
EV1V331MP51012EU Chinsan (Elite) EV1V331MP51012EU 0.5300
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 330 µf ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 680 ma @ 120 Hz 1.36 A @ 100 kHz 53 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV1V331MP51012EUTB 귀 99 8532.22.0020 800
UPS2AR47MDD1TD Nichicon UPS2AR47MDD1TD 0.2900
RFQ
ECAD 47 0.00000000 니치콘 UPS 컷 컷 (CT) 쓸모없는 0.47 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.4 ma @ 120 Hz 20 ma @ 100 kHz 43 옴 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
EEU-FR1C472B Panasonic Electronic Components EEU-FR1C472B 2.2400
RFQ
ECAD 104 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 FR-A 컷 컷 (CT) 활동적인 4700 µF ± 20% 16 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.056 A @ 120 Hz 3.82 A @ 100 kHz 14 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 eeu-fr 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
6.3SGV220M6.3X8 Rubycon 6.3SGV220M6.3X8 0.6500
RFQ
ECAD 477 0.00000000 루비콘 SGV 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 121 ma @ 120 Hz 145.2 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
HT63V4R7M5X11 Meritek HT63V4R7M5X11 -
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 메이트크 ht 대부분 활동적인 4.7 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2997-HT63V4R7M5X11 귀 99 8532.22.0020 1
B41252B9188M EPCOS - TDK Electronics B41252B9188M 2.6607
RFQ
ECAD 2446 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41252 대부분 활동적인 1800 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.57 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41252B9188M000 귀 99 8532.22.0040 160
50YXF470MEFC10X20 Rubycon 50yxf470mefc10x20 0.2568
RFQ
ECAD 2371 0.00000000 루비콘 YXF 대부분 마지막으로 마지막으로 470 µF ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
EMZA6R3ARA470ME61G United Chemi-Con emza6r3aRa470me61g -
RFQ
ECAD 1922 0.00000000 United Chemi-Con ALCHIP ™ -MZA 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 64 Ma @ 120 Hz 160 ma @ 100 kHz 700 Mohms - 0.197 "dia (5.00mm) 0.240 "(6.10mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
B43601A2158M60 EPCOS - TDK Electronics B43601A2158M60 -
RFQ
ECAD 3309 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43601 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 200 v 65mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.81 A @ 100 Hz 90 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43601A2158M060 귀 99 8532.22.0040 160
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고