전화 : +86-0755-83501315
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![]() | UES0J102MHM | 1.1200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | 니치콘 | ues | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 1000 µF | ± 20% | 6.3 v | - | 1000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 양극성 | - | 오디오 | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 1.043 "(26.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 800 | ||||||
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![]() | 381LX152M100J042 | - | ![]() | 5790 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 381lx | 대부분 | 쓸모없는 | 1500 µF | ± 20% | 100 v | - | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.1 A @ 120 Hz | 3.15 a @ 20 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 200 | ||||
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![]() | EMVE250ARA222MLN0S | 1.4366 | ![]() | 9610 | 0.00000000 | 화학 화학 | mve | 대부분 | 활동적인 | 2.2 MF | ± 20% | 25 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 범용 | 1.25 a @ 120 Hz | 1.35 a @ 100 kHz | - | 0.630 "dia (16.00mm) | 0.846 "(21.50mm) | 0.642 "L x 0.642"W (16.30mm x 16.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 565-EMVE250ARA222MLN0S | 귀 99 | 8532.22.0020 | 250 | |||
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![]() | MAL225759121E3 | 4.3905 | ![]() | 9195 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 257 PRM-SI | 상자 | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 500 v | 1.75ohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 85 ° C | -25 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.12 a @ 100 Hz | 1.568 A @ 10 kHz | 1.52 옴 | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 56-MAL225759121E3 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | ||
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![]() | EKMQ421VSN471MR45S | - | ![]() | 1981 | 0.00000000 | United Chemi-Con | KMQ | 대부분 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 420 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.86 A @ 120 Hz | 2.6598 A @ 50kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 200 | ||||
![]() | LNY2G392MSEGBB | 47.6876 | ![]() | 6117 | 0.00000000 | 니치콘 | LNY | 대부분 | 활동적인 | 3900 µF | ± 20% | 400 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 14.2 a @ 120 Hz | 19.88 a @ 10 kHz | 1.126 "(28.60mm) | 2.500 "DIA (63.50mm) | 4.252 "(108.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 5 | ||||
![]() | UZ475M035HCHTA | 0.7885 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NEXTGEN 요소 구성 | UZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4.7 µF | ± 20% | 35 v | 1.65ohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | - | 범용 | 90 ma @ 100 kHz | 1.65 옴 | 0.157 "DIA (4.00mm) | 0.232 "(5.90mm) | 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 3372-UZ475M035HCHTATR | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | ||||
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![]() | EEU-FC1V820H | - | ![]() | 6606 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | FC | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 82 µF | ± 20% | 35 v | - | 1000 @ @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 260 ma @ 120 Hz | 400 ma @ 100 kHz | 250 Mohms | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.630 "(16.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | EEU-FC | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | EEUFC1V820H | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | ||
![]() | LGJ2G121MELB20 | 4.5400 | ![]() | 92 | 0.00000000 | 니치콘 | LGJ | 대부분 | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 400 v | - | 3000 시간 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 860 ma @ 120 Hz | 1.2298 a @ 50 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 0.866 "(22.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 200 | ||||
![]() | ALS70H913LM063 | 31.2710 | ![]() | 5468 | 0.00000000 | 케멧 | ALS70 | 대부분 | 활동적인 | 91000 µf | ± 20% | 63 v | 9mohm @ 100Hz | 19000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 27.6 A @ 100 Hz | 30.4 a @ 10 kHz | 9 Mohms | 1.122 "(28.50mm) | 2.500 "DIA (63.50mm) | 5.236 "(133.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | ALS70H | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 16 | ||
![]() | UVP1C102MHD | 1.2700 | ![]() | 291 | 0.00000000 | 니치콘 | UVP | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 1000 µF | ± 20% | 16 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 양극성 | - | 범용 | 855 ma @ 120 Hz | 983.25 ma @ 10 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 800 | ||||
![]() | E36D301CSN243VFM9U | 105.1822 | ![]() | 4409 | 0.00000000 | 화학 화학 | U36D | 대부분 | 활동적인 | 24 MF | -10%, +20% | 300 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.252 "(31.80mm) | 3.504 "DIA (89.00mm) | 8.661 "(220.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | - | 적용 적용 수 할 | 565-E36D301CSN243VFM9U | 귀 99 | 8532.22.0085 | 9 | |||||||
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![]() | EKMH630VSN103MA50S | 6.2400 | ![]() | 4335 | 0.00000000 | 화학 화학 | KMH | 대부분 | 활동적인 | 10000 µf | ± 20% | 63 v | 25mohm @ 120Hz | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 4.4 a @ 120 Hz | 5.28 A @ 100 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 2.047 "(52.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 200 | ||||
tvx2a4r7mad1ls | - | ![]() | 8526 | 0.00000000 | 니치콘 | TVX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 4.7 µF | ± 20% | 100 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 40 ma @ 120 Hz | 80 ma @ 10 kHz | - | 0.197 "dia x 0.472"L (5.00mm x 12.00mm) | - | - | 구멍을 구멍을 | 축, 수 할 있습니다 | 다운로드 | 493-tvx2a4r7mad1lstr | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,600 | |||||||
400TXW22MEFR18X45 | 1.0395 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | 루비콘 | TXW | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 22 µF | ± 20% | 400 v | - | 12000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 0.295 "(7.50mm) | 0.709 "DIA (18.00mm) | 1.870 "(47.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | |||||||
![]() | B43644A9477M000 | 10.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43644 | 대부분 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 400 v | 200mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.09 a @ 100 Hz | 290 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 80 | ||||
![]() | B43643B0337M057 | 6.2577 | ![]() | 2342 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43643 | 대부분 | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 420 v | 370mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.42 A @ 100 Hz | 570 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 495-B43643B0337M057 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||
![]() | VEH100M1HTR-0506S | 0.0711 | ![]() | 3973 | 0.00000000 | 급등하다 | 차 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 10 µF | ± 20% | 50 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 40 ma @ 120 Hz | 50 ma @ 100 kHz | 3 옴 | - | 0.197 "dia (5.00mm) | 0.236 "(6.00mm) | 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4403-VEH100M1HTR-0506ST | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 |
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