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![]() | eee-fk1e680p | 0.4800 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | FK | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 68 µF | ± 20% | 25 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 180 ma @ 120 Hz | 240 ma @ 100 kHz | 360 Mohms | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.240 "(6.10mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | EEE-FK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | ||
![]() | EEV-TG1E471Q | 1.9600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | tg | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 25 v | 120mohm @ 100khz | 2000 시간 @ 125 ° C | -40 ° C ~ 125 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 520 ma @ 120 Hz | 800 ma @ 100 kHz | - | 0.492 "dia (12.50mm) | 0.531 "(13.50mm) | 0.531 "L x 0.531"W (13.50mm x 13.50mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | EEV-TG | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 |
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