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알루미늄 알루미늄 커패시터 (10416)
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 | MLSG801M100JH0C | 178.5590 | | 1279 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Slimpack ™ -mlsg | 대부분 | 활동적인 | 800 µF | ± 20% | 100 v | 484mohm @ 120Hz | 5000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | 양극성 | - | 범용 | 3.6 A @ 120 Hz | 4.6 a @ 20 kHz | 0.500 "(12.70mm) | 2.500 "L x 1.000"W (63.50mm x 25.40mm) | 0.500 "(12.70mm) | - | 구멍을 구멍을 | 플랫 플랫 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 10 | ||
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 | SLP472M035C1P3 | 2.9700 | | 65 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | SLP0712TE (750W) | 대부분 | 활동적인 | 4700 µF | ± 20% | 35 v | 113mohm | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | 범용 | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 0.984 "(25.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | ||||
| DCMC742T160BB2M | 21.6810 | | 2667 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | DCMC | 대부분 | 활동적인 | 7400 µF | -10%, +50% | 160 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 0.875 "(22.23mm) | 2.000 "50 (50.80mm) | 3.187 "(80.95mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0055 | 20 | ||||
 | SK010M160ST | - | | 1622 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | SK | 대부분 | 활동적인 | 1 µF | ± 20% | 160 v | 199.04OHM @ 120Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -25 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 17 ma @ 120 Hz | 23.8 ma @ 1 kHz | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.512 "(13.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | ||
| THAS211M200AC1C | 22.3185 | | 2228 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | THAS | 대부분 | 활동적인 | 210 µF | ± 20% | 200 v | 530mohm @ 120Hz | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 900 ma @ 120 Hz | 1.53 a @ 20 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 2.118 "L x 1.000"W (53.80mm x 25.40mm) | 0.366 "(9.30mm) | - | 구멍을 구멍을 | 플랫 플랫 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 60 | ||
| CG403U016V4C | 48.7100 | | 32 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | cg | 대부분 | 활동적인 | 40000 µF | -10%, +75% | 16 v | 9mohm @ 120Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 14.7 A @ 120 Hz | 16.905 a @ 10 kHz | - | 2.000 "50 (50.80mm) | 4.125 "(104.78mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2266-CG403U016V4C | 귀 99 | 8532.22.0055 | 1 | |
 | LP182M200H9P3 | 8.5093 | | 3606 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | LP | 대부분 | 활동적인 | 1800 µF | ± 20% | 200 v | 112mohm @ 120Hz | 1000 @ @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.8 A @ 120 Hz | 5.32 A @ 100 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.969 "(50.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 40 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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