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B43504A0187M002 EPCOS - TDK Electronics B43504A0187M002 -
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ECAD 4878 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 420 v 750mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 980 ma @ 100 Hz 890 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43504A2188M80 EPCOS - TDK Electronics B43504A2188M80 -
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ECAD 7193 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 1800 µF ± 20% 250 v 80mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.16 A @ 100 Hz 100 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.252 "(57.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43504A2277M82 EPCOS - TDK Electronics B43504A2277M82 -
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ECAD 6007 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 250 v 480mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.1 A @ 100 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.465 "(37.20mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
B43504A2477M62 EPCOS - TDK Electronics B43504A2477M62 -
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ECAD 2699 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 250 v 280mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.6 A @ 100 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
B43504A477M67 EPCOS - TDK Electronics B43504A477M67 -
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ECAD 3084 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 420 v 290mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.97 a @ 100 Hz 340 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43504A5107M60 EPCOS - TDK Electronics B43504A5107M60 -
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ECAD 6330 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 450 v 1.35ohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 640 ma @ 100 Hz 1.6 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43501A9686M007 EPCOS - TDK Electronics B43501A9686M007 -
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ECAD 2204 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 68 µF ± 20% 400 v 980mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 610 ma @ 100 Hz 1.56 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
B43501A9686M82 EPCOS - TDK Electronics B43501A9686M82 -
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ECAD 7520 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 68 µF ± 20% 400 v 980mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 610 ma @ 100 Hz 1.56 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
B43501A9687M60 EPCOS - TDK Electronics B43501A9687M60 -
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ECAD 7494 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 400 v 100. 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.33 A @ 100 Hz 160 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43501A9687M67 EPCOS - TDK Electronics B43501A9687M67 -
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ECAD 3590 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 400 v 100. 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.33 A @ 100 Hz 160 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43501B3567M EPCOS - TDK Electronics B43501B3567M -
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ECAD 7655 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 385 v 120mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.76 A @ 100 Hz 190 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43501B3567M000 귀 99 8532.22.0040 160
B43501C2477M62 EPCOS - TDK Electronics B43501C2477M62 -
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ECAD 8159 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 250 v 210mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.96 A @ 100 Hz 280 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43501C5227M60 EPCOS - TDK Electronics B43501C5227M60 -
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ECAD 1460 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 450 v 600mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.46 A @ 100 Hz 730 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43501C5227M82 EPCOS - TDK Electronics B43501C5227M82 -
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ECAD 9775 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 450 v 600mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.46 A @ 100 Hz 730 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43501D2477M67 EPCOS - TDK Electronics B43501D2477M67 -
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ECAD 2524 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 250 v 210mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2 A @ 100 Hz 280 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43501E157M80 EPCOS - TDK Electronics B43501E157M80 -
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ECAD 3251 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 420 v 880mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.11 a @ 100 Hz 1.07 옴 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43501F2477M62 EPCOS - TDK Electronics B43501F2477M62 -
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ECAD 3667 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 200 v 210mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.85 A @ 100 Hz 280 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43305B5397M67 EPCOS - TDK Electronics B43305B5397M67 -
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ECAD 5173 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 450 v 350mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.22 A @ 100 Hz 490 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43305B5477M62 EPCOS - TDK Electronics B43305B5477M62 -
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ECAD 8339 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 450 v 290mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.35 a @ 100 Hz 410 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43305B9827M82 EPCOS - TDK Electronics B43305B9827M82 -
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ECAD 7061 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 400 v 170mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.98 A @ 100 Hz 230 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43305C5277M87 EPCOS - TDK Electronics B43305C5277M87 -
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ECAD 8844 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 450 v 500mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.62 A @ 100 Hz 710 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43305F2128M67 EPCOS - TDK Electronics B43305F2128M67 -
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ECAD 3491 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 250 v 110mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.21 A @ 100 Hz 150 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43508A5107M062 EPCOS - TDK Electronics B43508A5107M062 3.7258
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ECAD 2798 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 450 v 1.23ohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 670 ma @ 100 Hz 1.73 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
B43305F2477M80 EPCOS - TDK Electronics B43305F2477M80 -
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ECAD 4271 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 250 v 270mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.87 a @ 100 Hz 370 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43305G2687M67 EPCOS - TDK Electronics B43305G2687M67 -
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ECAD 1117 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 250 v 190mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.12 a @ 100 Hz 260 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43501A1337M60 EPCOS - TDK Electronics B43501A1337M60 -
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ECAD 5613 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 160 v 350mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.43 A @ 100 Hz 490 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
B43501A1687M87 EPCOS - TDK Electronics B43501A1687M87 -
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ECAD 6219 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 160 v 170mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.4 a @ 100 Hz 240 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43504D2827M80 EPCOS - TDK Electronics B43504D2827M80 -
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ECAD 9868 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 250 v 160mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.26 A @ 100 Hz 190 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.661 "(42.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43504D2827M82 EPCOS - TDK Electronics B43504D2827M82 -
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ECAD 2241 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 250 v 160mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.26 A @ 100 Hz 190 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.661 "(42.20mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43504D2827M87 EPCOS - TDK Electronics B43504D2827M87 -
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ECAD 9798 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 250 v 160mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.26 A @ 100 Hz 190 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.661 "(42.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고