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B43305A5337M60 EPCOS - TDK Electronics B43305A5337M60 -
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ECAD 7525 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 450 v 410mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.88 A @ 100 Hz 580 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43504A2158M000 EPCOS - TDK Electronics B43504A2158M000 -
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ECAD 7093 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 250 v 100. 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.66 A @ 100 Hz 120 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B41827B6337M EPCOS - TDK Electronics B41827B6337M -
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ECAD 7604 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41827 대부분 쓸모없는 330 µf ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 510 ma @ 120 Hz - - - - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 B41827B6337M000 귀 99 8532.22.0020 1,000
B43516B9158M000 EPCOS - TDK Electronics B43516B9158M000 28.0036
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ECAD 1172 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43516 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 400 v 55mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 5 a @ 100 Hz 80 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.772 "DIA (45.00mm) 2.835 "(72.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43516B9158M 귀 99 8532.22.0055 56
B41888C3828M EPCOS - TDK Electronics B41888C3828M -
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ECAD 6132 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41888 대부분 활동적인 8200 µF ± 20% 10 v 18mohm @ 10khz 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 4.247 A @ 100 kHz 16 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41888C3828M000 귀 99 8532.22.0020 300
B43601E2228M062 EPCOS - TDK Electronics B43601E228M062 -
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ECAD 6180 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43601 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 250 v 40mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.56 A @ 100 Hz 60 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43508A2477M2 EPCOS - TDK Electronics B43508A2477M2 -
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ECAD 2472 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 200 v 250mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.36 A @ 100 Hz 340 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508A2477M 2 귀 99 8532.22.0040 320
B41042A8397M EPCOS - TDK Electronics B41042A8397M -
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ECAD 2624 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41042 대부분 쓸모없는 390 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.298 A @ 120 Hz 1.623 A @ 100 kHz 190 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 B41042A8397M000 귀 99 8532.22.0020 500
B43252A4826M EPCOS - TDK Electronics B43252A4826M -
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ECAD 3291 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43252 대부분 활동적인 82 µF ± 20% 350 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 480 ma @ 120 Hz 744 MA @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43252A4826M000 귀 99 8532.22.0040 320
B41041A7477M EPCOS - TDK Electronics B41041A7477M -
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ECAD 8888 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41041 대부분 쓸모없는 470 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 660 ma @ 120 Hz 825 ma @ 100 kHz 120 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 B41041A7477M000 귀 99 8532.22.0020 1,000
B43540A5477M007 EPCOS - TDK Electronics B43540A5477M007 -
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ECAD 6072 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 450 v 210mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.15 A @ 100 Hz 290 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43504A5187M80 EPCOS - TDK Electronics B43504A5187M80 -
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ECAD 3081 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 450 v 750mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.02 a @ 100 Hz 890 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.858 "(47.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43510A5567M007 EPCOS - TDK Electronics B43510A5567M007 -
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ECAD 5379 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43510 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 450 v 200mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.39 a @ 100 Hz 280 Mohms 0.984 "(25.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.441 "(62.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 72
B43516A9158M007 EPCOS - TDK Electronics B43516A9158M007 31.4198
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ECAD 5590 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43516 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 400 v 50mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 5.25 A @ 100 Hz 0.886 "(22.50mm) 1.772 "DIA (45.00mm) 3.819 "(97.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 66
B43520B0687M000 EPCOS - TDK Electronics B43520B0687M000 -
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ECAD 2546 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43520 대부분 쓸모없는 680 µF ± 20% 420 v 170mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.68 A @ 100 Hz 240 Mohms - 1.575 "DIA (40.00mm) 2.126 "(54.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, -5 can 할 수 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 66
B43821A2475M000 EPCOS - TDK Electronics B43821A2475M000 -
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ECAD 6105 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43821 대부분 활동적인 4.7 µF ± 20% 200 v 40ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 55 MA @ 120 Hz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
B43505G2477M62 EPCOS - TDK Electronics B43505G2477M62 -
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ECAD 5764 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43505 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 200 v 280mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.7 A @ 100 Hz 330 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43508B5277M80 EPCOS - TDK Electronics B43508B5277M80 -
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ECAD 2632 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 450 v 460mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.28 A @ 100 Hz 640 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.465 "(37.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508B5277M 80 귀 99 8532.22.0040 160
B43501A1108M87 EPCOS - TDK Electronics B43501A1108M87 -
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ECAD 2201 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43501 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 160 v 120mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.12 a @ 100 Hz 160 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B41695A8477Q9 EPCOS - TDK Electronics B41695A8477Q9 -
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ECAD 9062 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41695 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 470 µF -10%, +30% 63 v 200mohm @ 100Hz 125 ° C @ 3000 시간 -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 자동차 2.25 a @ 10 kHz 105 Mohms - 0.630 "dia x 1.181"L (16.00mm x 30.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 B41695A8477Q009 귀 99 8532.22.0020 500
B43510B5827M80 EPCOS - TDK Electronics B43510B5827M80 -
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ECAD 2046 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43510 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 450 v 130mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.32 A @ 100 Hz 200 Mohms 0.984 "(25.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 3.236 "(82.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43510B5827M080 귀 99 8532.22.0040 66
B43504A2827M80 EPCOS - TDK Electronics B43504A2827M80 -
RFQ
ECAD 4217 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 200 v 160mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.3 A @ 100 Hz 190 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.268 "(32.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43509A5566M000 EPCOS - TDK Electronics B43509A5566M000 4.1900
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ECAD 2842 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43509 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 450 v 1.7ohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 440 ma @ 100 Hz 2.6 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B43509A5566M 귀 99 8532.22.0040 160
B41554E4229Q000 EPCOS - TDK Electronics B41554E4229Q000 -
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ECAD 6172 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41554 대부분 쓸모없는 22000 µF -10%, +30% 16 v 21mohm @ 100Hz 125 ° C @ 2500 시간 -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 7.5 A @ 100 Hz 18 Mohms 0.500 "(12.70mm) 1.406 "DIA (35.70mm) 3.217 "(81.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 72
B41695A7477Q9 EPCOS - TDK Electronics B41695A7477Q9 -
RFQ
ECAD 8714 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41695 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 470 µF -10%, +30% 40 v 290mohm @ 100Hz 125 ° C @ 3000 시간 -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 자동차 1.5 a @ 10 kHz 180 Mohms - 0.472 "DIA X 1.181"L (12.00mm x 30.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B41695A7477Q009 귀 99 8532.22.0020 900
B41827A9336M EPCOS - TDK Electronics B41827A9336M -
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ECAD 9263 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41827 대부분 쓸모없는 33 µF ± 20% 100 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 180 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 B41827A9336M000 귀 99 8532.22.0020 2,000
B43504C5227M80 EPCOS - TDK Electronics B43504C5227M80 -
RFQ
ECAD 2454 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 450 v 610mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.2 A @ 100 Hz 730 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.268 "(32.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B43512B9278M000 EPCOS - TDK Electronics B43512B9278M000 37.7563
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ECAD 7330 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43512 대부분 활동적인 2700 µF ± 20% 400 v 50mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 8.36 A @ 100 Hz 80 Mohms 0.984 "(25.00mm) 1.969 "DIA (50.00mm) 3.228 "(82.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -5 리드 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 495-B43512B9278M000 귀 99 8532.22.0055 56
B43851F1226M000 EPCOS - TDK Electronics B43851F1226M000 -
RFQ
ECAD 7345 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43851 대부분 활동적인 22 µF ± 20% 160 v 13ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 91 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43851F1226M 귀 99 8532.22.0020 3,000
B43741A9338M000 EPCOS - TDK Electronics B43741A9338M000 -
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43741 대부분 활동적인 3300 µF ± 20% 400 v 30mohm @ 100Hz 6000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 10.6 a @ 100 Hz 45 Mohms 1.122 "(28.50mm) 2.531 "DIA (64.30mm) 4.693 "(119.20mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43741A9338M 귀 99 8532.22.0085 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고