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![]() | B43508F2108M87 | - | ![]() | 8126 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 250 v | 120mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.23 A @ 100 Hz | 160 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.661 "(42.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508F2108M 87 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 80 |
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