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메모리 (10402)

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M58BW016FB7D150T TR Micron Technology Inc. M58BW016FB7D150T TR -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - M58BW016 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 비 비 16mbit 70 ns 플래시 512k x 32 평행한 -
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCDBJ6-6 : D TR -
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29E512G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
TE28F256P30T95A Micron Technology Inc. TE28F256P30T95A -
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F256P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 평행한 95ns
N25QH32A13EV7A0 Micron Technology Inc. N25QH32A13EV7A0 -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABJ2-10Z : A TR -
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-TBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT47H32M16HR-25E IT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E IT : G TR -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
JS28F00AM29EWHA Micron Technology Inc. JS28F00AM29ewha -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AM29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 110ns
N25Q064A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF640F TR -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT48LC4M16A2B4-7E:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-7E : J TR -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 14ns
MT48H8M16LFB4-6:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-6 : k -
RFQ
 ECAD 2301 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H8M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT46V32M16CY-5B L IT:J Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B L IT : J. -
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT47H256M8THN-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E : M TR -
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H256M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
MTFC64GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gazaotd-ait 33.5100
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC64GAZAOTD-AIT 1
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F384G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 384gbit 플래시 48g x 8 평행한 -
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ES : E TR -
RFQ
 ECAD 5976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT41K512M8DA-093 IT:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-093 IT : p -
RFQ
 ECAD 1057 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADBDAH4-IT : d -
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
PC28F128G18FE Micron Technology Inc. PC28F128G18FE -
RFQ
 ECAD 6655 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 128mbit 96 ns 플래시 8m x 16 평행한 96ns
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECBBH6-6R : B TR -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M29F800FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F800FT55M3E2 -
RFQ
 ECAD 8498 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-1581 귀 99 8542.32.0071 240 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT28F800B5WG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 TET -
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 168-VFBGA 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
PF48F2000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. PF48F2000P0ZBQ0A -
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 88-TFBGA, CSPBGA 48F2000P0 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT25QL128ABB1EW7-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CAUT -
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53D384M64D4FL-046 XT:E Micron Technology Inc. MT53D384M64D4FL-046 XT : e -
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 ECAD 7206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,120 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6IT : D TR -
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MTFC256GBCAQTC-IT TR Micron Technology Inc. MTFC256GBCAQTC-IT TR 68.5000
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC256GBCAQTC-ITTR 2,000
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT : E TR 36.7950
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT41K512M16VRP-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AAT : P TR 18.4350
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 557-MT41K512M16VRP-107AAT : PTR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AIT : B TR 44.2350
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 768m x 64 평행한 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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