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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 -rds (on)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	전류 전류 (ID) - 최대
Bax12 Bk	-	RFQ	7706	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		눈사태		DO-35	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-bax12bk	귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												90 v		1.25 V @ 400 ma	50 ns	100 na @ 90 v	-65 ° C ~ 200 ° C	400ma	35pf @ 0V, 1MHz
CMLM8205 BK	-	RFQ	4511	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666		MOSFET (금속 (()		SOT-563	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMLM8205BK	귀 99	8541.21.0095	1		p 채널	50 v	280MA (TA)	5V, 10V	2.5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	20V	70 pf @ 25 v	Schottky 분리 (다이오드)	150MW (TA)
MJ6503 3/리드	-	RFQ	9951	Central Semiconductor Corp	MJ6503	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	MJ6503		125 w	TO-3	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-mj6503tin/리드	귀 99	8541.29.0095	1																					400 v	8 a						500µA				PNP	5V @ 3A, 8A	15 @ 2a, 5V	-
MJ6503 PBFREE	-	RFQ	6713	Central Semiconductor Corp	MJ6503	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	MJ6503		125 w	TO-3	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-mj6503pbfree	귀 99	8541.29.0095	1																					400 v	8 a						500µA				PNP	5V @ 3A, 8A	15 @ 2a, 5V	-
cmfsh-3i bk 주석/리드	-	RFQ	6831	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA		Schottky		SOT-143	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-cmfsh-3ibktin/리드	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도											2 독립	30 v	100MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CMFSH-3I BK PBFREE	-	RFQ	8639	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA		Schottky		SOT-143	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-cmfsh-3ibkpbfree	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도											2 독립	30 v	100MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BAW100G BK TIN/리드	-	RFQ	5107	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BAW100	기준		SOT-143	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-BAW100GBKTIN/리드	귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											2 독립	75 v	250MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CP742X-CM4209-CM	-	RFQ	4867	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									-			영향을받지 영향을받지	1514-CP742X-CM4209-CM	쓸모없는		1
CZT32C BK	-	RFQ	3741	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA			2 w	SOT-223	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CZT32CBK	귀 99	8541.29.0095	1																					100 v	3 a						300µA					1.2v @ 375ma, 3a	25 @ 1a, 4v	3MHz
2N6468	-	RFQ	8291	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			40 W.	To-66	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-2N6468	귀 99	8541.29.0095	1																					120 v	4 a						1MA					4V @ 800MA, 4A	15 @ 1.5a, 4v	5MHz
2N3507	-	RFQ	7984	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	To-39	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-2N3507	귀 99	8541.29.0095	1																					50 v	3 a						1µA				PNP	1.5V @ 250MA, 2.5A	35 @ 500ma, 1V	3MHz
BCX19 TR	-	RFQ	5657	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-bcx19tr	귀 99	8541.21.0095	1																					45 v							100NA (ICBO)				NPN	-	100 @ 100ma, 1v	40MHz
CP608-TIP32C-WN	-	RFQ	6896	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP608		2 w	주사위	-			영향을받지 영향을받지	1514-CP608-TIP32C-WN	귀 99	8541.29.0040	1																					100 v	3 a						300µA				PNP	1.2v @ 375ma, 3a	25 @ 1a, 4v	3MHz
3N255-M	-	RFQ	7221	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip		기준		BM	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-3N255-M	귀 99	8541.10.0080	1															1.1 v @ 3.14 a		10 µa @ 200 v		2 a				단일 단일	200 v
3N257-M	-	RFQ	5852	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip		기준		BM	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-3N257-M	귀 99	8541.10.0080	1															1.1 v @ 3.14 a		10 µa @ 600 v		2 a				단일 단일	600 v
3N256-M	-	RFQ	6726	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip		기준		BM	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-3N256-M	귀 99	8541.10.0080	1															1.1 v @ 3.14 a		10 µa @ 400 v		2 a				단일 단일	400 v
CPR2-040 BK	-	RFQ	4647	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로					CPR2				-			영향을받지 영향을받지				1
1N5189 BK	-	RFQ	7598	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-4, 축,	1N5189	기준		GPR-4AM	-			영향을받지 영향을받지				1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												500 v		1.5 v @ 10 ma	300 ns	2 µa @ 500 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CPR4F-020 BK	-	RFQ	9483	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-4, 축,	CPR4F	기준		GPR-4AM	-			영향을받지 영향을받지				1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.3 v @ 10 ma	250 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
CPR4F-010 BK	-	RFQ	4364	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-4, 축,	CPR4F	기준		GPR-4AM	-			영향을받지 영향을받지				1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		1.3 v @ 10 ma	250 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
1N5554 BK	-	RFQ	2773	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-4, 축,	1N5554	기준		GPR-4AM	-			영향을받지 영향을받지				1	짐												1000 v		1.1 v @ 10 ma	4 µs	1 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CPR1F-040 BK	-	RFQ	8567	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로					cpr1f				-			영향을받지 영향을받지				1
CPZ58X-BZX84B5V1-WN	-	RFQ	8222	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	-				1514-CPZ58X-BZX84B5V1-WN	귀 99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v												5.1 v	60 옴
CPZ58X-BZX84B5V1-CT	-	RFQ	9990	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	-				1514-CPZ58X-BZX84B5V1-CT	귀 99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v												5.1 v	60 옴
CP210-2N4416A-CT	-	RFQ	3740	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	다운로드				1514-CP210-2N4416A-CT	쓸모없는		400		n 채널	35 v						4pf @ 15V																35 v	5 ma @ 20 v	2.5 v @ 1 na									15 MA
CP232V-CEN1308-CT	-	RFQ	6230	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인		-			CP232				-			영향을받지 영향을받지	1514-CP232V-CEN1308-CT		0000.00.0000	1		-							-
CP232V-2N4416A-CT20	-	RFQ	3575	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23	-			영향을받지 영향을받지	1514-CP232V-2N4416A-CT20	귀 99	8541.21.0095	20		n 채널	35 v						4.5pf @ 15V																35 v	5 ma @ 15 v	2.5 v @ 1 na									5 MA
CP206-2N4392-CT	-	RFQ	2539	Central Semiconductor Corp	*	쟁반	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP206-2N4392-CT	쓸모없는		400
CP216-2N4393-CT	-	RFQ	7572	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-CP216-2N4393-CT	쓸모없는		400		n 채널	40 v						20pf @ 20V																40 v	5 ma @ 20 v	500 MV @ 1 NA				100 옴					50 MA
CBRSDSH2-100	-	RFQ	2393	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		Schottky		4-SMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CBRSDSH2-100	귀 99	8541.10.0080	50															700 mv @ 2 a		50 µa @ 100 v		2 a				단일 단일	100 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²