SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHP25N50E-GE3 3.2100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SIHP25N50E-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
SISC06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISC06 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 27.6A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 58 NC @ 10 v +20V, -16V 2455 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 46.3W (TC)
IRFR320 Vishay Siliconix IRFR320 -
RFQ
ECAD 9221 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR320 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 0.4800
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1912 MOSFET (금속 (() 1.5W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 800MA (TC) 280mohm @ 1.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.15NC @ 4.5V 75pf @ 10V -
SQ4483BEEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4483BEEY-T1_GE3 1.7500
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4483 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 22A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V - 7W (TC)
SI1488DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1488DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6551 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1488 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.1A (TC) 1.8V, 4.5V 49mohm @ 4.6a, 4.5v 950MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 530 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
SI7540DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7540DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8016 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7540 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 7.6a, 5.7a 17mohm @ 11.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7194DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7194DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4426 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7194 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6590 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI5448DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5448DU-T1-GE3 0.6200
RFQ
ECAD 9560 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5448 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 25A (TC) 4.5V, 10V 7.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v +20V, -16V 1765 pf @ 20 v - 31W (TC)
SI7457DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7457DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1464 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7457 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 28A (TC) 6V, 10V 42mohm @ 7.9a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 5230 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 83.3W (TC)
SUP85N03-04P-E3 Vishay Siliconix SUP85N03-04P-E3 -
RFQ
ECAD 2868 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 85A (TC) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 166W (TC)
SUP65P04-15-E3 Vishay Siliconix SUP65P04-15-E3 -
RFQ
ECAD 9670 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup65 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SUP65P0415E3 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 40 v 65A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
IRFD9020PBF Vishay Siliconix IRFD9020PBF 1.6700
RFQ
ECAD 505 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9020 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD9020PBF 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 1µa 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir664dp-t1-ge3 1.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir664 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v 1750 pf @ 30 v -
SI1442DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1442DH-T1-BE3 0.4500
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1442 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 4A (TA) 20mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 8 v ± 8V 1010 pf @ 6 v - 1.56W (TA)
SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHG24N80AEF-GE3 4.8700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG24N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 20A (TC) 10V 195mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 1889 pf @ 100 v - 208W (TC)
SQ2361ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2361ES-T1_GE3 0.6300
RFQ
ECAD 7852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.8A (TC) 10V 177mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 30 v - 2W (TC)
SI3454ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3454ADV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2403 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3454 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.4A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SIA441DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA441DJ-T1-GE3 0.6900
RFQ
ECAD 103 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA441 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 12A (TC) 4.5V, 10V 47mohm @ 4.4a, 10V 2.2V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 890 pf @ 20 v - 19W (TC)
SQP120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix SQP120N10-3M8_GE3 -
RFQ
ECAD 5436 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP120 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7230 pf @ 25 v - 250W (TC)
SIHP22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP22N60E-GE3 4.0300
RFQ
ECAD 7870 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
IRFPG40 Vishay Siliconix IRFPG40 -
RFQ
ECAD 9824 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPG40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPG40 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 1000 v 4.3A (TC) 10V 3.5ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI4618DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4618DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4618 MOSFET (금속 (() 1.98W, 4.16W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 8A, 15.2A 17mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 44NC @ 10V 1535pf @ 15V -
IRF640STRLPBF Vishay Siliconix irf640strlpbf 2.2000
RFQ
ECAD 626 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRF630PBF Vishay Siliconix IRF630PBF 1.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF630PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI4451DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7346 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4451 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 8.25mohm @ 14a, 4.5v 800MV @ 850µA 120 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
2N4858JTXV02 Vishay Siliconix 2N4858JTXV02 -
RFQ
ECAD 3827 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4858 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SIHG085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG085N60EF-GE3 6.5600
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG085 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG085N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 84mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2733 PF @ 100 v - 184W (TC)
SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4936 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 35mohm @ 5.9a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 530pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIHF085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHF085N60EF-GE3 6.2400
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 84mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2733 PF @ 100 v - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고