전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIHP25N50E-GE3 | 3.2100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP25 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2266-SIHP25N50E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 26A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1980 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||
![]() | SISC06DN-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SISC06 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 27.6A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 15a, 10V | 2.1V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2455 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 46.3W (TC) | |||||
![]() | IRFR320 | - | ![]() | 9221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR320 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 400 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | SQ1912EH-T1_GE3 | 0.4800 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1912 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 800MA (TC) | 280mohm @ 1.2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.15NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | - | |||||||
![]() | SQ4483BEEY-T1_GE3 | 1.7500 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4483 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 22A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | - | 7W (TC) | |||||||
![]() | SI1488DH-T1-GE3 | - | ![]() | 6551 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1488 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.1A (TC) | 1.8V, 4.5V | 49mohm @ 4.6a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 530 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA), 2.8W (TC) | ||||
![]() | SI7540DP-T1-GE3 | - | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7540 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 12V | 7.6a, 5.7a | 17mohm @ 11.8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI7194DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7194 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 6590 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
![]() | SI5448DU-T1-GE3 | 0.6200 | ![]() | 9560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5448 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® Chipfet 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 7.75mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | +20V, -16V | 1765 pf @ 20 v | - | 31W (TC) | |||||
![]() | SI7457DP-T1-E3 | - | ![]() | 1464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7457 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 28A (TC) | 6V, 10V | 42mohm @ 7.9a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 5230 pf @ 50 v | - | 5.2W (TA), 83.3W (TC) | ||||
SUP85N03-04P-E3 | - | ![]() | 2868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup85 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 30 v | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 166W (TC) | |||||
SUP65P04-15-E3 | - | ![]() | 9670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup65 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SUP65P0415E3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 40 v | 65A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | ||||
![]() | IRFD9020PBF | 1.6700 | ![]() | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9020 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD9020PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | p 채널 | 60 v | 1.6A (TA) | 10V | 280mohm @ 960ma, 10V | 4V @ 1µa | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||||
![]() | sir664dp-t1-ge3 | 1.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir664 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | 1750 pf @ 30 v | - | |||||||||
![]() | SI1442DH-T1-BE3 | 0.4500 | ![]() | 4936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1442 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 4A (TA) | 20mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 33 NC @ 8 v | ± 8V | 1010 pf @ 6 v | - | 1.56W (TA) | ||||||
![]() | SIHG24N80AEF-GE3 | 4.8700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHG24N80AEF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 20A (TC) | 10V | 195mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 1889 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | |||||
![]() | SQ2361ES-T1_GE3 | 0.6300 | ![]() | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (금속 (() | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.8A (TC) | 10V | 177mohm @ 2.4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 550 pf @ 30 v | - | 2W (TC) | ||||||
![]() | SI3454ADV-T1-GE3 | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.4A (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 4.5a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
![]() | SIA441DJ-T1-GE3 | 0.6900 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA441 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 4.4a, 10V | 2.2V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 890 pf @ 20 v | - | 19W (TC) | |||||
SQP120N10-3M8_GE3 | - | ![]() | 5436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SQP120 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 7230 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | SIHP22N60E-GE3 | 4.0300 | ![]() | 7870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP22 | MOSFET (금속 (() | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1920 pf @ 100 v | - | 227W (TC) | ||||||
![]() | IRFPG40 | - | ![]() | 9824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPG40 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPG40 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 1000 v | 4.3A (TC) | 10V | 3.5ohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
![]() | SI4618DY-T1-GE3 | - | ![]() | 1471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4618 | MOSFET (금속 (() | 1.98W, 4.16W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 8A, 15.2A | 17mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 1mA | 44NC @ 10V | 1535pf @ 15V | - | |||||||
![]() | irf640strlpbf | 2.2000 | ![]() | 626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
IRF630PBF | 1.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF630 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF630PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||
![]() | SI4451DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4451 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 12 v | 10A (TA) | 1.8V, 4.5V | 8.25mohm @ 14a, 4.5v | 800MV @ 850µA | 120 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | 2N4858JTXV02 | - | ![]() | 3827 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4858 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SIHG085N60EF-GE3 | 6.5600 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG085 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHG085N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2733 PF @ 100 v | - | 184W (TC) | ||||
![]() | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4936 | MOSFET (금속 (() | 2.8W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.9A | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3V @ 250µA | 15NC @ 10V | 530pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SIHF085N60EF-GE3 | 6.2400 | ![]() | 4067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2733 PF @ 100 v | - | 35W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고