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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107CT(TPL3) -
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 ECAD 2801 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2107 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-Y(Q) -
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 ECAD 5342 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SA1225 1W PW-MOLD - 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 160V 1.5A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 100MHz
2SC2229-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y,F(J -
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 ECAD 5348 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(T6무라타FM -
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 ECAD 5065 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC5201 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC5201T6MURATAFM EAR99 8541.21.0095 1 600V 50mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
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 ECAD 5685 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz 5.6kΩ
RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(T5L,F,T) -
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 ECAD 1237 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1112 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 22kΩ
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL(TE85L,F -
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 ECAD 9331 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 150mW TO-236 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 350 @ 2mA, 6V 100MHz
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15(TE12L,Q,M) 0.6800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 CMS15 쇼트키 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 580mV @ 3A 60V에서 300μA -40°C ~ 150°C 3A 102pF @ 10V, 1MHz
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LF -
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 ECAD 6480 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ16(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 6370 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F CRZ16 700mW S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 200mA 11V에서 10μA 16V 30옴
2SC2229-O(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(T6MIT1FM -
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 ECAD 3344 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229OT6MIT1FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SA1020-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TOJ,FM -
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 ECAD 9874 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6F(J -
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 ECAD 7873 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310,LF 0.1700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2310 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2967 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47k옴
2SA949-Y(T6ONK1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y(T6ONK1,FM -
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 ECAD 8591 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SC3328-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y,HOF(M -
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 ECAD 3114 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC3328 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV,L3F 0.2400
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 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1102 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 10kΩ 10kΩ
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X, LQ 2.5193
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 ECAD 9782 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK25V60 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TK25V60XLQ EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 25A(타) 10V 135m옴 @ 7.5A, 10V 3.5V @ 1.2mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL,L1Q 2.0600
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 ECAD 51 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPHR6503 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.65m옴 @ 50A, 10V 2.1V @ 1mA 110nC @ 10V ±20V 10000pF @ 15V - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D,S1F -
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 ECAD 6487 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 TRS12N 쇼트키 TO-247 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 6A(DC) 1.7V @ 6A 650V에서 90μA 175°C(최대)
TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1,S1X 2.9200
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 ECAD 6537 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK65E10 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 148A(타) 10V 4.8m옴 @ 32.5A, 10V 4V @ 1mA 81nC @ 10V ±20V 5400pF @ 50V - 192W(Tc)
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F,LF 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J168 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 400mA(타) 4V, 10V 1.9옴 @ 100mA, 4.5V 2V @ 1mA 3nC @ 10V +20V, -16V 10V에서 82pF - 1.2W(타)
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967(F) -
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 ECAD 8942 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2967 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 30A(타) 10V 68m옴 @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 150W(Tc)
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHF 0.4900
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 ECAD 7563 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-SSM3J356R,LXHFCT EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 2A(타) 4V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 8.3nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 330pF - 1W(타)
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2703JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2703 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F 0.2000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2110 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 4.7kΩ
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE,LF(CT 0.2600
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2910 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
TK3A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3A90E,S4X 1.2300
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-TK3A90ES4X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 2.5A(타) 10V 4.6옴 @ 1.3A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 650pF - 35W(Tc)
SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L, EFF 1.3700
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 14-SMD, 무연 SSM14 MOSFET(금속) 1.33W(타) TCSPED-302701 - ROHS3 준수 1(무제한) 10,000 2 N채널 12V 20A(타) 1.35m옴 @ 10A, 4.5V 1.4V @ 1.57mA 76nC @ 4V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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