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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01(TE85L,Q,M) 0.5200
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 ECAD 54 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123F CRH01 기준 S플랫(1.6x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 980mV @ 1A 35ns 200V에서 10μA -40°C ~ 150°C 1A -
2SA1020-O,CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O,CKF(J -
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 ECAD 2405 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU,LF 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6J422 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 42.7m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 840pF - 1W(타)
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104ACT(TPL3) -
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 ECAD 9312 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2104 100mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 47kΩ 47kΩ
TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Y,LF 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200mW S-미니 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 1V 100MHz
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU,LF 0.4200
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 ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N62 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 800mA(타) 85m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 177pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS06(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 6944 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-76, SOD-323 CUS06 쇼트키 US-FLAT(1.25x2.5) 다운로드 RoHS 준수 CUS06(TE85LQM) EAR99 8541.10.0080 4,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 450mV @ 700mA 20V에서 30μA -40°C ~ 150°C 1A 40pF @ 10V, 1MHz
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU,LF 0.4900
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 ECAD 8410 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6G18 MOSFET(금속) 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 1.5V, 4.5V 112m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 270pF 쇼트키 다이오드(절연) 1W(타)
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK,LM 0.1500
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 ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 200mA(타) 4.5V, 10V 3.9옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.35nC @ 4.5V ±20V 17pF @ 10V - 320mW(타)
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962(T6CANO,F,M -
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 ECAD 2604 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4910 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kΩ -
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8007-H(TE12L,Q -
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 ECAD 8492 0.00000000 도시바 및 저장 * 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 TPCA8007 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000
TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W, RVQ 3.0400
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 ECAD 11 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK10P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 9.7A(타) 10V 430m옴 @ 4.9A, 10V 500μA에서 3.7V 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 80W(Tc)
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD,L1Q 1.4900
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 ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R712 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 20V 60A(Tc) 2.5V, 4.5V 1.7m옴 @ 30A, 4.5V 1.2V @ 1mA 182nC @ 5V ±12V 10900pF @ 10V - 78W(Tc)
TK065Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065Z65Z,S1F 7.8900
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 ECAD 4529 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-4 MOSFET(금속) TO-247-4L(T) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 650V 38A(타) 10V 65m옴 @ 19A, 10V 4V @ 1.69mA 62nC @ 10V ±30V 300V에서 3650pF - 270W(Tc)
SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K310T(TE85L,F) -
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 ECAD 6188 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K310 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 5A(타) 1.5V, 4V 28m옴 @ 4A, 4V - 14.8nC @ 4V ±10V 1120pF @ 10V - 700mW(타)
TPCA8025(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8025(TE12L,Q,M -
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 ECAD 1087 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8025 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 40A(타) 4.5V, 10V 3.5m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 49nC @ 10V ±20V 10V에서 2200pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FE(TE85L,F) 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1D01 기준 ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 4,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍 구역 80V 100mA 1.2V @ 100mA 1.6ns 500nA @ 80V 150°C(최대)
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC,L1XHQ 1.2300
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN XPN12006 MOSFET(금속) 8-TSON 사전-WF(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 20A 4.5V, 10V 12m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 200μA 23nC @ 10V ±20V 1100pF @ 10V 65W(Tc)
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU,LF 0.4900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K407 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 2A(타) 4V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 6nC @ 10V ±20V 150pF @ 10V - 500mW(타)
RN1302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302,LXHF 0.3900
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 ECAD 222 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1302 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F,S1Q 1.0500
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 ECAD 1763년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 TRS2E65 SiC(탄화규소) 쇼트키 TO-220-2L - EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.6V @ 2A 0ns 650V에서 20μA 175°C(최대) 2A 8.7pF @ 650V, 1MHz
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS,LF 0.2800
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 ECAD 24 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3K44 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 4옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 8.5pF @ 3V - 150mW(타)
RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908(T5L,F,T) -
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 ECAD 3244 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 22kΩ
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage TTC009,F(M -
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 ECAD 2791 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TTC009 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 80V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 100mA, 1A 100 @ 500mA, 5V 150MHz
TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL,L1Q 2.2100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPHR9003 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 60A(Tc) 4.5V, 10V 0.9m옴 @ 30A, 10V 2.3V @ 1mA 74nC @ 10V ±20V 6900pF @ 15V - 1.6W(Ta), 78W(Tc)
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE(TE85L,F) 0.3400
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2906 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47k옴
TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ -
보상요청
 ECAD 7711 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TK65G10 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 65A(타) 10V 4.5m옴 @ 32.5A, 10V 4V @ 1mA 81nC @ 10V ±20V 5400pF @ 50V - 156W(Tc)
CLH01(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH01(TE16L,Q) -
보상요청
 ECAD 6230 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 L-플랫™ CLH01 기준 L-FLAT™(4x5.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 980mV @ 3A 35ns 200V에서 10μA -40°C ~ 150°C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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장바구니 목록 (0개 품목)
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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