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디스크리트 반도체(2909)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837(LBSAN,F,M) -
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 ECAD 2923 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
2SJ438(AISIN,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(아이신,에이,큐) -
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 ECAD 3224 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 5A(티제이)
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CFS,LF 0.2000
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 ECAD 133 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3K72 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 170mA(타) 4.5V, 10V 3.9옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.35nC @ 4.5V ±20V 17pF @ 10V - 150mW(타)
TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC,L1Q 0.4595
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 ECAD 1481 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN4R203 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 23A(타) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 11.5A, 10V 2.3V @ 200μA 24nC @ 10V ±20V 1370pF @ 15V - 700mW(Ta), 22W(Tc)
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F) -
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 ECAD 2879 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA MT3S20 1.8W PW-미니 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 16.5dB 12V 80mA NPN 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45dB @ 1GHz
HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-BL(TE85L,F -
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 ECAD 9019 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN3C51 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 350 @ 2mA, 6V 100MHz
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-GR,LF 0.3000
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y,LF -
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 ECAD 8584 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5108 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 11dB 10V 30mA NPN 120 @ 5mA, 5V 6GHz -
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y,T6NSF(J -
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 ECAD 2103 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SA1020-YT6NSF(J EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK4P55DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q) -
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 ECAD 2865 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK4P55 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK4P55DAT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 550V 3.5A(타) 10V 2.45옴 @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 380pF @ 25V - 80W(Tc)
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA(STA4,Q,M 2.7100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 12.5A(타) 10V 470m옴 @ 6.3A, 10V 4V @ 1mA 28nC @ 10V ±30V 25V에서 1550pF - 45W(Tc)
RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2969(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2969 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 22kΩ
TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65D,S1F -
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 ECAD 3712 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 TRS24N 쇼트키 TO-247 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 12A(DC) 1.7V @ 12A 650V에서 90μA 175°C(최대)
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y,T6KOJPF(J -
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 ECAD 5039 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2309(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2309 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462(TE16L1,NQ) -
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 ECAD 7650 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK3462 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 250V 3A(타) 10V 1.7옴 @ 1.5A, 10V 3.5V @ 1mA 12nC @ 10V ±20V 10V에서 267pF - 20W(Tc)
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE,LF(CT 0.2600
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2910 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1,S1X 2.9200
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 ECAD 6537 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK65E10 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 148A(타) 10V 4.8m옴 @ 32.5A, 10V 4V @ 1mA 81nC @ 10V ±20V 5400pF @ 50V - 192W(Tc)
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2703JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2703 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F,LF 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J168 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 400mA(타) 4V, 10V 1.9옴 @ 100mA, 4.5V 2V @ 1mA 3nC @ 10V +20V, -16V 10V에서 82pF - 1.2W(타)
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHF 0.4900
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 ECAD 7563 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-SSM3J356R,LXHFCT EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 2A(타) 4V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 8.3nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 330pF - 1W(타)
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE,LM 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6N37 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 250mA 2.2옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA - 12pF @ 10V 게임 레벨 레벨
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D,S1F -
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 ECAD 6487 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-247-3 TRS12N 쇼트키 TO-247 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 650V 6A(DC) 1.7V @ 6A 650V에서 90μA 175°C(최대)
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967(F) -
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 ECAD 8942 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2967 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 30A(타) 10V 68m옴 @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 150W(Tc)
CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG06(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 6508 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-128 CMG06 기준 M플랫(2.4x3.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) CMG06(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.1V @ 1A 600V에서 10μA -40°C ~ 150°C 1A -
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0.2900
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 ECAD 4597 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2413 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 47kΩ
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-GR,LF 0.3000
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 ECAD 8061 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2713 150mW TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106,LF(CT 0.2300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1106 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2963 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
TK7A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D(STA4,Q,M) 1.5000
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 ECAD 9633 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 7A(타) 10V 1.22옴 @ 3.5A, 10V 4.4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 35W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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