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디스크리트 반도체(16626)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 전환 - 전환 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R600P7SATMA1 0.9700
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 ECAD 3946 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ P7 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA IPN60R600 MOSFET(금속) PG-SOT223 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 600V 6A(TC) 10V 600m옴 @ 1.7A, 10V 4V @ 80μA 9nC @ 10V ±20V 400V에서 363pF - 7W(Tc)
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 -
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 ECAD 8293 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 IPC60R - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000857780 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 -
SPB07N60S5ATMA1 Infineon Technologies SPB07N60S5ATMA1 -
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 ECAD 5043 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SPB07N MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 7.3A(Tc) 10V 600m옴 @ 4.6A, 10V 350μA에서 5.5V 35nC @ 10V ±20V 25V에서 970pF - 83W(Tc)
ISC0806NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0806NLSATMA1 2.6500
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 ECAD 1943년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN ISC0806N MOSFET(금속) PG-TDSON-8-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 16A(타), 97A(Tc) 4.5V, 10V 5.4m옴 @ 50A, 10V 2.3V @ 61μA 49nC @ 10V ±20V 50V에서 3400pF - 2.5W(Ta), 96W(Tc)
IDH06G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH06G65C5XKSA2 3.3200
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 ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 IDH06G65 SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-TO220-2-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.7V @ 6A 0ns 650V에서 110μA -55°C ~ 175°C 6A 190pF @ 1V, 1MHz
IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies IPA50R800CEXKSA2 0.9600
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 ECAD 343 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CE 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 IPA50R800 MOSFET(금속) PG-TO220-3-FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 4.1A(Tc) 13V 800m옴 @ 1.5A, 13V 130μA에서 3.5V 12.4nC @ 10V ±20V 100V에서 280pF - 26.4W(Tc)
IRF6218STRLPBF Infineon Technologies IRF6218STRLPBF -
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 ECAD 7475 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 P채널 150V 27A (Tc) 10V 150m옴 @ 16A, 10V 5V @ 250μA 110nC @ 10V ±20V 2210pF @ 25V - 250W(Tc)
AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R090M1HXKSA1 7.9761
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 ECAD 2034년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 튜브 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-AIMZA75R090M1HXKSA1 240
DDB6U180N16RRPB37BPSA1 Infineon Technologies DDB6U180N16RRPB37BPSA1 185.9900
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 ECAD 6647 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoPACK™ 2 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 DDB6U180 기준 AG-ECONO2-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 10 2.15V @ 50A 1mA @ 1600V 50A 삼상 1.6kV
AUIRFR5305TR Infineon Technologies AUIRFR5305TR 2.8500
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 ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 AUIRFR5305 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 55V 31A(Tc) 65m옴 @ 16A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V 25V에서 1200pF -
F3L600R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W3S7B11BPSA1 146.6700
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 ECAD 7719 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 쟁반 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-F3L600R10W3S7B11BPSA1 8
IDC05S60CEX1SA1 Infineon Technologies IDC05S60CEX1SA1 -
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 ECAD 8571 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 분수 IDC05S60 SiC(탄화규소) 쇼트키 분수 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000599924 EAR99 8541.10.0080 1 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 600V 1.7V @ 5A 0ns 600V에서 70μA -55°C ~ 175°C 5A 240pF @ 1V, 1MHz
D921S45TXPSA1 Infineon Technologies D921S45TXPSA1 2.0000
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 ECAD 7158 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 방역 DO-200AD D921S45 기준 - 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 4500V 2.6V @ 2500A 4500V에서 100mA -40°C ~ 140°C 1630A -
SIGC05T60SNCX7SA2 Infineon Technologies SIGC05T60SNCX7SA2 -
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 ECAD 7719 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 SIGC05 기준 분수 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 400V, 4A, 67옴, 15V NPT 600V 4A 12A 2.5V @ 15V, 4A - 22ns/264ns
BAT6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6405WH6327XTSA1 0.4700
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 ECAD 2174 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, BAT64 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAT6405 쇼트키 PG-SOT323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 40V 250mA 750mV @ 100mA 5ns 30V에서 2μA 150°C(최대)
BSZ0502NSIATMA1 Infineon Technologies BSZ0502NSIATMA1 0.6360
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 ECAD 2510 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSZ0502 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8-FL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 22A(Ta), 40A(Tc) 4.5V, 10V 2.8m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 26nC @ 10V ±20V 15V에서 1600pF - 2.1W(Ta), 43W(Tc)
SPI20N65C3 Infineon Technologies SPI20N65C3 -
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 ECAD 6796 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1
BB833E6327HTSA1 Infineon Technologies BB833E6327HTSA1 -
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 ECAD 7945 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 BB833 PG-SOD323-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 0.9pF @ 28V, 1MHz 하나의 30V 12.4 C1/C28 -
BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies BSC155N06NDATMA1 1.5500
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 ECAD 5754 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™-T2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN BSC155 MOSFET(금속) 50W(Tc) PG-TDSON-8-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 2 N채널(듀얼) 60V 20A(TC) 15.5m옴 @ 17A, 10V 4V @ 20μA 29nC @ 10V 2250pF @ 30V -
SPD50N03S2L-06G Infineon Technologies SPD50N03S2L-06G 1.0000
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 ECAD 8072 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1
IPP100N08S207AKSA1 Infineon Technologies IPP100N08S207AKSA1 2.7400
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 ECAD 1403 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP100 MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 75V 100A(Tc) 10V 7.1m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 200nC @ 10V ±20V 25V에서 4700pF - 300W(Tc)
IPW65R280C6 Infineon Technologies IPW65R280C6 1.5500
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 ECAD 466 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS C6™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) PG-TO247-3-41 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 650V 13.8A(Tc) 10V 280m옴 @ 4.4A, 10V 440μA에서 3.5V 45nC @ 10V ±20V 100V에서 950pF - 104W(Tc)
BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies BFR843EL3E6327XTSA1 0.2870
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 ECAD 30 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN BFR843 125mW PG-TSLP-3-10 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.33.0001 15,000 25.5dB 2.6V 55mA NPN -
IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies IRFS3006TRL7PP 5.8200
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 ECAD 7 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB IRFS3006 MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 60V 240A(Tc) 10V 2.1m옴 @ 168A, 10V 4V @ 250μA 300nC @ 10V ±20V 50V에서 8850pF - 375W(Tc)
IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies IKW40N65ET7XKSA1 5.8500
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 ECAD 2051년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, TrenchStop™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IKW40N65 기준 230.8W PG-TO247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10옴, 15V 85ns 트렌치 필드스톱 650V 76A 120A 1.65V @ 15V, 40A 1.05mJ(켜짐), 590μJ(꺼짐) 235nC 20ns/310ns
IPB80N06S2L11ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L11ATMA1 -
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 ECAD 4839 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 55V 80A(Tc) 4.5V, 10V 10.7m옴 @ 60A, 10V 2V @ 93μA 80nC @ 10V ±20V 2075pF @ 25V - 158W(Tc)
IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB042N03LGATMA1 -
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 ECAD 5188 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB042N MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 70A(Tc) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 38nC @ 10V ±20V 3900pF @ 15V - 79W(Tc)
F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F417MR12W1M1HPB76BPSA1 152.9700
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 ECAD 30 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 F417MR12 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30
IMZA120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA120R014M1HXKSA1 52.5600
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 ECAD 193 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SiCFET(탄화규소) PG-TO247-4-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 127A(Tc) 15V, 18V 18.4m옴 @ 54.3A, 18V 5.2V @ 23.4mA 110nC @ 18V +20V, -5V 4580nF @ 25V - 455W(Tc)
FZ1000R45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies FZ1000R45KL3B5NPSA1 1.0000
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 ECAD 8961 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 125°C (TJ) 방역 기준기준 FZ1000R45 1600000W 기준 A-IHV130 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2 스위치 트렌치 필드스톱 4500V 1000A 3.05V @ 15V, 1kA 5mA 아니요 25V에서 185nF
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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AD9208BBPZ-3000

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