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디스크리트 반도체(16626)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	구조	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	전류 - 유지(Ih)(최대)	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	커패시턴스 @ Vr, F	SCR, 다이오드 수	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	냄비에	냄비를 조건으로	Q@VR, F
AUIRLL2705	-	보상요청	7856	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET(금속)				SOT-223	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SP001522936	EAR99	8541.29.0095	80			N채널			55V	5.2A(타)	4V, 10V	40m옴 @ 3.8A, 10V	2V @ 250μA	48nC @ 10V	±16V	25V에서 870pF	-	1W(타)
BSO613SPVGXUMA1	1.1300	보상요청	24	인피니언 테크놀로지스	자동차, AEC-Q101, SIPMOS®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	BSO613		MOSFET(금속)				PG-DSO-8-6	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			P채널			60V	3.44A(타)	10V	130m옴 @ 3.44A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	±20V	25V에서 875pF	-	2.5W(타)
IPB011N04NF2SATMA1	3.2400	보상요청	770	인피니언 테크놀로지스	StrongIRFET™2	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB011		MOSFET(금속)				PG-TO263-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800			N채널			40V	43A(Ta), 201A(Tc)	6V, 10V	1.15m옴 @ 100A, 10V	3.4V @ 249μA	315nC @ 10V	±20V	20V에서 15000pF	-	3.8W(Ta), 375W(Tc)
T720N14TOFXPSA1	175.3850	보상요청	8708	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 125°C	방역	DO-200AB, B-PUK	T720N14				하나의			다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	6				300mA												1.8kV	1500A	1.5V	14500A @ 50Hz	250mA	720A									1 SCR
IRG7U100HF12B	-	보상요청	5276	인피니언 테크놀로지스	-	상자	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	POWIR® 62 모듈	IRG7U			580W		기준	POWIR® 62	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	15	다리 다리																														-	1200V	200A		2V @ 15V, 100A						1mA	아니요	25V에서 12.5nF
ISK036N03LM5AULA1	-	보상요청	4852	인피니언 테크놀로지스	OptiMOS™ 5	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-PowerVDFN	ISK036N		MOSFET(금속)				PG-VSON-6-1	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	448-ISK036N03LM5AULA1DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널			30V	44A(Tc)	4.5V, 10V	3.6m옴 @ 20A, 10V	2V @ 250μA	21.5nC @ 10V	±16V	15V에서 1400pF	-	11W(Tc)
IPD055N08NF2SATMA1	1.8700	보상요청	2	인피니언 테크놀로지스	StrongIRFET™ 2	컷테이프(CT)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)				PG-TO252-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000			N채널			80V	17A(타), 98A(Tc)	6V, 10V	5.5m옴 @ 60A, 10V	55μA에서 3.8V	54nC @ 10V	±20V	40V에서 2500pF	-	3W(Ta), 107W(Tc)
BSS159NH6906XTSA1	0.7800	보상요청	35	인피니언 테크놀로지스	SIPMOS®	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS159		MOSFET(금속)				PG-SOT23	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000			N채널			60V	230mA(타)	0V, 10V	3.5옴 @ 160mA, 10V	2.4V @ 26μA	2.9nC @ 5V	±20V	25V에서 44pF	고갈 모드	360mW(타)
IMZA120R007M1HXKSA1	90.3000	보상요청	2668	인피니언 테크놀로지스	CoolSiC™	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-4			SiCFET(탄화규소)				PG-TO247-4-8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30			N채널			1200V	225A(Tc)	15V, 18V	9.9m옴 @ 108A, 18V	5.2V @ 47mA	220nC @ 18V	+20V, -5V	9170nF @ 25V	-	750W(Tc)
BSZ0703LSATMA1	1.1800	보상요청	4	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	BSZ0703		MOSFET(금속)				PG-TSDSON-8-26	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	5,000			N채널			60V	40A(Tc)	4.5V, 10V	6.5m옴 @ 20A, 10V	2.3V @ 20μA	13nC @ 4.5V	±20V	30V에서 1800pF	기준	46W(Tc)
IPD06P005LSAUMA1	-	보상요청	4812	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	IPD06P		MOSFET(금속)				PG-TO252-3-313	-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SP001863510	EAR99	8541.29.0095	2,500			P채널			60V	6.5A(Tc)	4.5V, 10V	250m옴 @ 6.5A, 10V	270μA에서 2V	13.8nC @ 10V	±20V	30V에서 420pF	-	28W(Tc)
BBY5806WH6327XTSA1	-	보상요청	2832	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BBY58						PG-SOT323	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000																													5.5pF @ 6V, 1MHz										1쌍 구역	10V				3.5	C1/C4	-
IRG7CH81K10EF-R	-	보상요청	7575	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	분수	IRG7CH	기준					분수	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SP001537294	더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	1					600V, 150A, 1옴, 15V																										-	1200V			2.3V @ 15V, 150A	-	745nC	70ns/330ns
IRGP4750D-EPBF	-	보상요청	8307	인피니언 테크놀로지스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		273W			TO-247AD	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SP001545016	EAR99	8541.29.0095	25					400V, 35A, 10옴, 15V																					150ns					-	650V	70A	105A	2V @ 15V, 35A	1.3mJ(켜짐), 500μJ(꺼짐)	105nC	50ns/105ns
IMW65R039M1HXKSA1	17.4100	보상요청	44	인피니언 테크놀로지스	CoolSiC™	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	IMW65R		SiCFET(탄화규소)				PG-TO247-3-41	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	30			N채널			650V	46A(Tc)	18V	50m옴 @ 25A, 18V	5.7V @ 7.5mA	41nC @ 18V	+20V, -2V	400V에서 1393pF	-	176W(Tc)
IPD60R380E6BTMA1	-	보상요청	4647	인피니언 테크놀로지스	CoolMOS™ E6	대부분	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-55°C ~ 155°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET(금속)				PG-TO252-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널			600V	10.6A(Tc)	10V	380m옴 @ 3.8A, 10V	3.5V @ 300μA	32nC @ 10V	±20V	100V에서 700pF	-	83W(Tc)
F3L600R10W4S7FH11BPSA1	225.1700	보상요청	6798	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인											-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1			6
IRF9540NSTRLPBF	2.4900	보상요청	1	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9540		MOSFET(금속)				D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800			P채널			100V	23A(TC)	10V	117m옴 @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V	±20V	25V에서 1450pF	-	3.1W(Ta), 110W(Tc)
AUIRF1010ZSTRL	2.2781	보상요청	9578	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)				PG-TO263-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800			N채널			55V	75A(Tc)		7.5m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	95nC @ 10V		25V에서 2840pF	-	140W(Tc)
IRG4BC20UDPBF	-	보상요청	4566	인피니언 테크놀로지스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		기준		60W			TO-220AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000					480V, 6.5A, 50옴, 15V																					37ns					-	600V	13A	52A	2.1V @ 15V, 6.5A	160μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐)	27nC	39ns/93ns
IPG16N10S4-61	1.0000	보상요청	9444	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	IPG16N		MOSFET(금속)	29W(Tc)			PG-TDSON-8-4	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(듀얼)					100V	16A(티씨)		61m옴 @ 16A, 10V	3.5V @ 9μA	7nC @ 10V		490pF @ 25V	-
IPA60R125C6XKSA1	6.3800	보상요청	5188	인피니언 테크놀로지스	쿨모스™	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	IPA60R		MOSFET(금속)				PG-TO220-FP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널			600V	30A(Tc)	10V	125m옴 @ 14.5A, 10V	3.5V @ 960μA	96nC @ 10V	±20V	100V에서 2127pF	-	34W(Tc)
BSM300GA170DLCHOSA1	-	보상요청	3059	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 125°C	방역	기준기준	BSM300			2520W		기준	기준기준	-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	10	하나의																														-	1700V	600A		3.2V @ 15V, 300A						600μA	아니요	20nF @ 25V
TT250N12KOFHPSA1	-	보상요청	2632	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 125°C	방역	기준기준	TT250N				직렬 연결 - 모든 SCR			다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	3				300mA												1.2kV		2V	8000A @ 50Hz	200mA	250A									SCR 2개
IPA65R380C6XKSA1	1.6245	보상요청	7989	인피니언 테크놀로지스	쿨모스™	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	IPA65R380		MOSFET(금속)				PG-TO220-3-111	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	500			N채널			650V	10.6A(Tc)	10V	380m옴 @ 3.2A, 10V	3.5V @ 320μA	39nC @ 10V	±20V	100V에서 710pF	-	31W(Tc)
SPI07N65C3HKSA1	-	보상요청	6873	인피니언 테크놀로지스	쿨모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	SPI07N		MOSFET(금속)				PG-TO262-3-1	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	500			N채널			650V	7.3A(Tc)	10V	600m옴 @ 4.6A, 10V	3.9V @ 350μA	27nC @ 10V	±20V	25V에서 790pF	-	83W(Tc)
BAV70	0.0300	보상요청	125	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV70		기준				SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0070	3,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																				1쌍의 세션이 시작됩니다	70V	200mA	1.25V @ 150mA	6ns	70V에서 5μA	150°C(최대)
T3801N36TOFVTXPSA1	4.0000	보상요청	9803	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 125°C	방역	TO-200AF	T3801N36				하나의			다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	1				350mA												3.6kV	6020A	2.5V	91000A @ 50Hz	350mA	5370A									1 SCR
IRGB6B60KPBF	-	보상요청	6312	인피니언 테크놀로지스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	IRGB6B	기준		90W			TO-220AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000					400V, 5A, 100옴, 15V																										NPT	600V	13A	26A	2.2V @ 15V, 5A	110μJ(켜짐), 135μJ(꺼짐)	18.2nC	25ns/215ns
IAUC120N06S5L015ATMA1	1.2811	보상요청	3054	인피니언 테크놀로지스	OptiMOS™-5	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)				PG-TDSON-8-43	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	5,000			N채널			60V	235A(티제이)	4.5V, 10V	1.5m옴 @ 60A, 10V	2.2V @ 94μA	114nC @ 10V	±20V	30V에서 8193pF	-	167W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²