| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 냄비에 | 냄비를 조건으로 | Q@VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRLL2705 | - | ![]() | 7856 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001522936 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N채널 | 55V | 5.2A(타) | 4V, 10V | 40m옴 @ 3.8A, 10V | 2V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±16V | 25V에서 870pF | - | 1W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO613SPVGXUMA1 | 1.1300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | BSO613 | MOSFET(금속) | PG-DSO-8-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 60V | 3.44A(타) | 10V | 130m옴 @ 3.44A, 10V | 4V @ 1mA | 30nC @ 10V | ±20V | 25V에서 875pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB011N04NF2SATMA1 | 3.2400 | ![]() | 770 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | StrongIRFET™2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB011 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 40V | 43A(Ta), 201A(Tc) | 6V, 10V | 1.15m옴 @ 100A, 10V | 3.4V @ 249μA | 315nC @ 10V | ±20V | 20V에서 15000pF | - | 3.8W(Ta), 375W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T720N14TOFXPSA1 | 175.3850 | ![]() | 8708 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 방역 | DO-200AB, B-PUK | T720N14 | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 6 | 300mA | 1.8kV | 1500A | 1.5V | 14500A @ 50Hz | 250mA | 720A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7U100HF12B | - | ![]() | 5276 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 상자 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | POWIR® 62 모듈 | IRG7U | 580W | 기준 | POWIR® 62 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 다리 다리 | - | 1200V | 200A | 2V @ 15V, 100A | 1mA | 아니요 | 25V에서 12.5nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISK036N03LM5AULA1 | - | ![]() | 4852 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-PowerVDFN | ISK036N | MOSFET(금속) | PG-VSON-6-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-ISK036N03LM5AULA1DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 44A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.6m옴 @ 20A, 10V | 2V @ 250μA | 21.5nC @ 10V | ±16V | 15V에서 1400pF | - | 11W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD055N08NF2SATMA1 | 1.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | StrongIRFET™ 2 | 컷테이프(CT) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 80V | 17A(타), 98A(Tc) | 6V, 10V | 5.5m옴 @ 60A, 10V | 55μA에서 3.8V | 54nC @ 10V | ±20V | 40V에서 2500pF | - | 3W(Ta), 107W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS159NH6906XTSA1 | 0.7800 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS159 | MOSFET(금속) | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 230mA(타) | 0V, 10V | 3.5옴 @ 160mA, 10V | 2.4V @ 26μA | 2.9nC @ 5V | ±20V | 25V에서 44pF | 고갈 모드 | 360mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMZA120R007M1HXKSA1 | 90.3000 | ![]() | 2668 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-4 | SiCFET(탄화규소) | PG-TO247-4-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 1200V | 225A(Tc) | 15V, 18V | 9.9m옴 @ 108A, 18V | 5.2V @ 47mA | 220nC @ 18V | +20V, -5V | 9170nF @ 25V | - | 750W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0703LSATMA1 | 1.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSZ0703 | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-26 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.5m옴 @ 20A, 10V | 2.3V @ 20μA | 13nC @ 4.5V | ±20V | 30V에서 1800pF | 기준 | 46W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD06P005LSAUMA1 | - | ![]() | 4812 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD06P | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-313 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001863510 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 60V | 6.5A(Tc) | 4.5V, 10V | 250m옴 @ 6.5A, 10V | 270μA에서 2V | 13.8nC @ 10V | ±20V | 30V에서 420pF | - | 28W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BBY5806WH6327XTSA1 | - | ![]() | 2832 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BBY58 | PG-SOT323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 5.5pF @ 6V, 1MHz | 1쌍 구역 | 10V | 3.5 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7CH81K10EF-R | - | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 분수 | IRG7CH | 기준 | 분수 | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001537294 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 150A, 1옴, 15V | - | 1200V | 2.3V @ 15V, 150A | - | 745nC | 70ns/330ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4750D-EPBF | - | ![]() | 8307 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 273W | TO-247AD | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001545016 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 35A, 10옴, 15V | 150ns | - | 650V | 70A | 105A | 2V @ 15V, 35A | 1.3mJ(켜짐), 500μJ(꺼짐) | 105nC | 50ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMW65R039M1HXKSA1 | 17.4100 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IMW65R | SiCFET(탄화규소) | PG-TO247-3-41 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 46A(Tc) | 18V | 50m옴 @ 25A, 18V | 5.7V @ 7.5mA | 41nC @ 18V | +20V, -2V | 400V에서 1393pF | - | 176W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R380E6BTMA1 | - | ![]() | 4647 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ E6 | 대부분 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 155°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 10.6A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 3.8A, 10V | 3.5V @ 300μA | 32nC @ 10V | ±20V | 100V에서 700pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L600R10W4S7FH11BPSA1 | 225.1700 | ![]() | 6798 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1 | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9540NSTRLPBF | 2.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9540 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P채널 | 100V | 23A(TC) | 10V | 117m옴 @ 14A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1450pF | - | 3.1W(Ta), 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1010ZSTRL | 2.2781 | ![]() | 9578 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 7.5m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 95nC @ 10V | 25V에서 2840pF | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20UDPBF | - | ![]() | 4566 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 60W | TO-220AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V, 6.5A, 50옴, 15V | 37ns | - | 600V | 13A | 52A | 2.1V @ 15V, 6.5A | 160μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) | 27nC | 39ns/93ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG16N10S4-61 | 1.0000 | ![]() | 9444 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | IPG16N | MOSFET(금속) | 29W(Tc) | PG-TDSON-8-4 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 100V | 16A(티씨) | 61m옴 @ 16A, 10V | 3.5V @ 9μA | 7nC @ 10V | 490pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R125C6XKSA1 | 6.3800 | ![]() | 5188 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA60R | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 30A(Tc) | 10V | 125m옴 @ 14.5A, 10V | 3.5V @ 960μA | 96nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2127pF | - | 34W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300GA170DLCHOSA1 | - | ![]() | 3059 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | BSM300 | 2520W | 기준 | 기준기준 | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 1700V | 600A | 3.2V @ 15V, 300A | 600μA | 아니요 | 20nF @ 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT250N12KOFHPSA1 | - | ![]() | 2632 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | TT250N | 직렬 연결 - 모든 SCR | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300mA | 1.2kV | 2V | 8000A @ 50Hz | 200mA | 250A | SCR 2개 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA65R380C6XKSA1 | 1.6245 | ![]() | 7989 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA65R380 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-111 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 650V | 10.6A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 3.2A, 10V | 3.5V @ 320μA | 39nC @ 10V | ±20V | 100V에서 710pF | - | 31W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI07N65C3HKSA1 | - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | SPI07N | MOSFET(금속) | PG-TO262-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 650V | 7.3A(Tc) | 10V | 600m옴 @ 4.6A, 10V | 3.9V @ 350μA | 27nC @ 10V | ±20V | 25V에서 790pF | - | 83W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70 | 0.0300 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 70V | 200mA | 1.25V @ 150mA | 6ns | 70V에서 5μA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T3801N36TOFVTXPSA1 | 4.0000 | ![]() | 9803 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 방역 | TO-200AF | T3801N36 | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 350mA | 3.6kV | 6020A | 2.5V | 91000A @ 50Hz | 350mA | 5370A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGB6B60KPBF | - | ![]() | 6312 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRGB6B | 기준 | 90W | TO-220AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 5A, 100옴, 15V | NPT | 600V | 13A | 26A | 2.2V @ 15V, 5A | 110μJ(켜짐), 135μJ(꺼짐) | 18.2nC | 25ns/215ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC120N06S5L015ATMA1 | 1.2811 | ![]() | 3054 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™-5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-43 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 235A(티제이) | 4.5V, 10V | 1.5m옴 @ 60A, 10V | 2.2V @ 94μA | 114nC @ 10V | ±20V | 30V에서 8193pF | - | 167W(Tc) |

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