| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | A2G35S200-01SR3 | 139.2100 | ![]() | 129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125V | 표면 실장 | NI-400S-2S | A2G35 | 3.4GHz ~ 3.6GHz | GaN HEMT | NI-400S-2S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 디스크 3A001B3 | 8541.29.0075 | 250 | - | 291mA | 180W | 16.1dB | - | 48V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BLF888DS112 | 249.6100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH1875L,115 | - | ![]() | 2801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | PH18 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 75V | 45.8A(Tc) | 4.5V, 10V | 16.5m옴 @ 20A, 10V | 2V @ 1mA | 33.4nC @ 5V | ±15V | 25V에서 2600pF | - | 62.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y153-100E115 | - | ![]() | 1495 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK953R5-60E,127 | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 60V | 120A(타) | 3.4m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 95nC @ 5V | ±10V | 25V에서 13490pF | - | 293W(타) | |||||||||||||||||||||
![]() | BUK6215-75C,118 | - | ![]() | 4160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 57A(타) | 15m옴 @ 15A, 10V | 2.8V @ 1mA | 61.8nC @ 10V | ±16V | 3900pF @ 25V | - | 128W(타) | |||||||||||||||||||||
![]() | BUK7535-55A,127 | 0.2600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 35A(Tc) | 10V | 35m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 25V에서 872pF | - | 85W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PMV45EN2215 | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y14-40B,115 | - | ![]() | 1516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 40V | 56A(티씨) | 5V | 11m옴 @ 20A, 10V | 2V @ 1mA | 21nC @ 5V | ±15V | 25V에서 1800pF | - | 85W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y21-40E115 | - | ![]() | 9431 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9528-100A,127 | - | ![]() | 9000 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 49A(TC) | 4.5V, 10V | 27m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | ±10V | 4293pF @ 25V | - | 166W(Tc) | ||||||||||||||||||||
| 2PB709ARW,115 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 100mA | 10nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 10mA, 100mA | 210 @ 2mA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S18125AHSR5 | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 1.88GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.1A | 125W | 17dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7237-55A,118 | 0.3200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK72 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9516-55A,127 | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 66A(티씨) | 5V, 10V | 15m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | ±10V | 3085pF @ 25V | - | 138W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | BUK7105-40AIE,118 | 1.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK71 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7Y25-80E/GFX | - | ![]() | 6852 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | BUK7 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 80V | 39A(Tc) | 10V | 25m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 25.9nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1800pF | - | 95W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R9-25YLC | 1.0000 | ![]() | 9589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5258215 | 0.2200 | ![]() | 696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7511-55A,127 | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 11m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 3093pF @ 25V | - | 166W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40W/ZL135 | 0.0200 | ![]() | 5175 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9240-100A/C1,11 | - | ![]() | 7675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | BUK92 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934061623118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 33A(티씨) | 4.5V, 10V | 38.6m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | ±10V | 3072pF @ 25V | - | 114W(Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | BC856BT,115 | - | ![]() | 6833 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | BC856 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMN15UN,115 | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | PMN1 | MOSFET(금속) | SC-74 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 8A(TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| MRF8S21100HR5 | - | ![]() | 9731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF8 | 2.17GHz | MOSFET | NI-780H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | - | 700mA | 24W | 18.3dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN070-200B,118 | - | ![]() | 3268 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN0 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24G300HSR5 | 136.8900 | ![]() | 153 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125V | 표면 실장 | NI-780S-4L | MRF24 | 2.4GHz ~ 2.5GHz | MOSFET | NI-780S-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 N채널(듀얼) | - | 300W | 15.3dB | - | 48V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R2-30YLC,115 | - | ![]() | 9850 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S21100NBR1 | - | ![]() | 2120 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 방역 | TO-272BB | MRF6 | 2.11GHz ~ 2.16GHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1.05A | 23W | 14.5dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R9-25YLC/GFX | - | ![]() | 4100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | PSMN2 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 |

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