SIC
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트랜지스터 (225)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SSF3912S Good-Ark Semiconductor SSF3912S 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 1.56W (TC)
MMBT2907A Good-Ark Semiconductor MMBT2907A 0.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
2N7002K Good-Ark Semiconductor 2N7002K 0.1400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 10V, 5V 300mohm @ 500ma, 4.5v, 600mohm @ 300ma, 4.5v 2.5V @ 250µA 0.4 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 430MW
GSFP1526 Good-Ark Semiconductor GSFP1526 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 150 v 25A (TC) 10V 51mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 80 v - 101W (TC)
GSFB0206 Good-Ark Semiconductor GSFB0206 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 n 채널 20 v 5A (TC) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 10V 460 pf @ 15 v - 1.56W (TC)
GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD MOSFET (금속 (() 20.1W (TC) TO-252-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 보완 p 채널 및 60V 19A (TC), 17A (TC) 30mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1720pf @ 30v, 1810pf @ 30v 기준
MMBT3904AT Good-Ark Semiconductor MMBT3904AT 0.1500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
SSFQ3907 Good-Ark Semiconductor SSFQ3907 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1820 pf @ 15 v - 2.1W (TC)
GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806 0.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.1W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 60V 20A (TC) 28mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2440pf @ 20V 기준
GSBCP53-10 Good-Ark Semiconductor GSBCP53-10 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
BC847C Good-Ark Semiconductor BC847C 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
GSFP08130 Good-Ark Semiconductor GSFP08130 1.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 130A (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 143 NC @ 10 v +20V, -12V 8265 pf @ 40 v - 142W (TC)
SSF2429 Good-Ark Semiconductor SSF2429 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 2.5V, 4.5V 35mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 12V 1450 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
GSFQ1504 Good-Ark Semiconductor GSFQ1504 0.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 150 v 4A (TA) 10V 50mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 80 v - 2W (TA)
SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 6.1A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 4a, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1280 pf @ 15 v - 7.1W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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