SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC817UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies BC817UPNE6327HTSA1 0.5000
RFQ
ECAD 216 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC817 330MW PG-SC74-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 170MHz
BCX53-10E6327 Infineon Technologies BCX53-10E6327 0.0900
RFQ
ECAD 23 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2 w PG-SOT89-4-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 50MA, 2V 125MHz
IRF2807ZS Infineon Technologies IRF2807ZS -
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF2807ZS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3270 pf @ 25 v - 170W (TC)
SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies SGP20N60HSXKSA1 -
RFQ
ECAD 5888 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sgp20n 기준 178 w PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 400V, 20A, 16ohm, 15V NPT 600 v 36 a 80 a 3.15V @ 15V, 20A 690µJ 100 NC 18NS/207NS
IPD650P06NMSAUMA1 Infineon Technologies IPD650P06NMSAUMA1 -
RFQ
ECAD 8943 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD650 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP004987224 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 22A (TC) 10V 65mohm @ 22a, 10V 4V @ 1.04ma 39 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 30 v - 83W (TC)
IPB097N08N3 G Infineon Technologies IPB097N08N3 g -
RFQ
ECAD 8627 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB097N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 70A (TC) 6V, 10V 9.7mohm @ 46a, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 40 v - 100W (TC)
IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R099CPATMA1 9.4000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CP 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R099 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 18a, 10V 3.5v @ 1.2ma 80 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 100 v - 255W (TC)
BSS83PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS83PL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS83 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 330ma (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 330ma, 10V 2V @ 80µa 3.57 NC @ 10 v ± 20V 78 pf @ 25 v - 360MW (TA)
SMBTA92E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBTA92E6327HTSA1 0.4800
RFQ
ECAD 3104 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MBTA92 360 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
BCR169E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR169E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3730 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR169 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 200MHz 4.7 Kohms
IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2 3.9000
RFQ
ECAD 9477 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IAUT165 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 165A (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 80a, 10V 3.8V @ 108µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6370 pf @ 40 v - 167W (TC)
BDP948E6433 Infineon Technologies BDP948E6433 -
RFQ
ECAD 4719 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 5 w PG-SOT223-4 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 45 v 3 a 100NA (ICBO) 500mv @ 200ma, 2a 50 @ 1a, 2v 100MHz
BFN18E6327HTSA1 Infineon Technologies BFN18E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BFN18 1 W. PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 30 @ 30MA, 10V 70MHz
ICA21V01X1SA1 Infineon Technologies ICA21V01X1SA1 -
RFQ
ECAD 8672 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001035636 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRL3202PBF Infineon Technologies IRL3202PBF -
RFQ
ECAD 3653 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 48A (TC) 4.5V, 7V 16mohm @ 29a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 43 NC @ 4.5 v ± 10V 2000 pf @ 15 v - 69W (TC)
IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280P6XKSA1 2.8900
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R280 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13.8A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 3.5V @ 430µA 43 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRFR220NCPBF Infineon Technologies IRFR220NCPBF -
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 5A (TA) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies irfs3306trlpbf 2.8500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3306 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 4.2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 150µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4520 pf @ 50 v - 230W (TC)
BC848BWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC848BWH6327XTSA1 0.0534
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
F3L200R12N2H3B47BPSA1 Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA1 -
RFQ
ECAD 6757 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F3L200 20 MW 기준 Ag-Econo2-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 레벨 인버터 - 1200 v 200a 2.15V @ 15V, 150A 1 MA
IRFS7430-7PPBF Infineon Technologies IRFS7430-7PPBF -
RFQ
ECAD 6426 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001557480 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 240A (TC) 6V, 10V 0.75mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250µA 460 nc @ 10 v ± 20V 13975 pf @ 25 v - 375W (TC)
BFP182RE7764 Infineon Technologies BFP182RE7764 -
RFQ
ECAD 2266 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
IPP65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1 4.4517
RFQ
ECAD 3842 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R110 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 700 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
BCR 133L3 E6327 Infineon Technologies BCR 133L3 E6327 -
RFQ
ECAD 9894 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 133 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies irf1010zstrlpbf 2.0900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1010 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
BSP322PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP322PL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 1A (TC) 4.5V, 10V 800mohm @ 1a, 10V 1V @ 380µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 372 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2 1.1900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 50A, 10V 2.2V @ 20µA 40 nc @ 10 v ± 16V 2890 pf @ 25 v - 50W (TC)
BC 817K-25W E6433 Infineon Technologies BC 817K-25W E6433 -
RFQ
ECAD 5468 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC 817 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 40,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 170MHz
IPF09N03LA Infineon Technologies IPF09N03LA -
RFQ
ECAD 3633 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPF09N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1642 pf @ 15 v - 63W (TC)
BSD235C L6327 Infineon Technologies BSD235C L6327 -
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BSD235 MOSFET (금속 (() 500MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 950MA, 530MA 350mohm @ 950ma, 4.5v 1.2V @ 1.6µA 0.34NC @ 4.5V 47pf @ 10V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고