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| FCO7C012001A3CEI00 | 0.6105 | | 1988 | 0.00000000 | 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 | FCO-7C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25.000625 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4972-FCO7C012001A3CEI00tr | 귀 99 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 30ppm | - | - | - | |||||
| FCO7C050253A3CEI00 | 0.6105 | | 3339 | 0.00000000 | 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 | FCO-7C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50.186 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4972-fco7c050253a3cei00tr | 귀 99 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 30ppm | - | - | - | |||||
| FCO7C004190A3CEI00 | 0.6105 | | 5967 | 0.00000000 | 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 | FCO-7C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 45.158 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4972-FCO7C004190A3CEI00tr | 귀 99 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 15ppm | - | - | - | |||||
 | FCT8M03276807T3 | 0.3394 | | 8946 | 0.00000000 | 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 | FCT-8M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 50 KOHMS | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.315 "L x 0.150"W (8.00mm x 3.80mm) | 표면 표면 | 4-SOJ, 5.50mm 피치 | khz 크리스탈 (크리스탈 포크) | 32.768 kHz | 근본적인 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4972-FCT8M03276807T3TR | 귀 99 | 3,000 | 7pf | ||||||||||||
| FCO5C044508A3CBY00 | 0.6105 | | 4132 | 0.00000000 | 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 | FCO-5C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 44.508 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4972-fco5c044508a3cby00tr | 귀 99 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 15ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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