SIC
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결정, 공진기, 발진기 (8864)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
8WE-24.576MCJ-T TXC CORPORATION 8WE-24.576MCJ-T 1.1312
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-24.576MCJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-24.576MBM-T TXC CORPORATION 8NE-24.576MBM-T 1.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-24.000MCE-T TXC CORPORATION 8WE-24.000mce-t 1.0605
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-24.000MCE-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-24.576MBM-T TXC CORPORATION 8WE-24.576MBM-T 1.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-24.000MDE-T TXC CORPORATION 8WE-24.000MDE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 8353 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-24.000MDE-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-24.000MCM-T TXC CORPORATION 8WE-24.000mcm-t 1.2019
RFQ
 ECAD 3642 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-24.000MCM-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-27.000MDE-T TXC CORPORATION 8NE-27.000MDE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-27.000MDE-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-27.000MCE-T TXC CORPORATION 8NE-27.000mce-t 1.0605
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-27.000mce-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-37.400MBE-T TXC CORPORATION 8WE-37.400MBE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.4 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-37.400MBE-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-38.400MDJ-T TXC CORPORATION 8ne-38.400mdj-t 1.1312
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-38.400MDJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-20.000MBJ-T TXC CORPORATION 8WE-20.000MBJ-T 1.1312
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-20.000MBJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-30.000MCJ-T TXC CORPORATION 8WE-30.000MCJ-T 1.1312
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8we-30.000mcj-ttr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-37.400MDE-T TXC CORPORATION 8NE-37.400MDE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.4 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-37.400MDE-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-40.000MBE-T TXC CORPORATION 8WE-40.000mbe-t 1.0605
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-40.000mbe-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-38.400MBM-T TXC CORPORATION 8WE-38.400MBM-T 1.2019
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8W-38.400MBM-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-37.400MBJ-T TXC CORPORATION 8ne-37.400mbj-t 1.1312
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.4 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-37.400MBJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-24.576MBE-T TXC CORPORATION 8WE-24.576MBE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-24.576MBE-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-38.400MCE-T TXC CORPORATION 8WE-38.400MCE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 7977 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8we-38.400mce-ttr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-27.000MDJ-T TXC CORPORATION 8WE-27.000MDJ-T 1.1312
RFQ
 ECAD 4451 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-27.000MDJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-25.000MBJ-T TXC CORPORATION 8NE-25.000mbj-t 1.1312
RFQ
 ECAD 3308 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-25.000MBJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-38.400MCJ-T TXC CORPORATION 8WE-38.400MCJ-T 1.1312
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-38.400MCJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-30.000MBE-T TXC CORPORATION 8We-30.000mbe-t 1.0605
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8W-30.000mbe-ttr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-38.400MCM-T TXC CORPORATION 8ne-38.400mcm-t 1.2019
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-38.400mcm-ttr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-20.000MCM-T TXC CORPORATION 8WE-20.000MCM-T 1.2019
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8we-20.000mcm-ttr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-25.000MBM-T TXC CORPORATION 8NE-25.000MBM-T 1.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-33.333MCE-T TXC CORPORATION 8WE-33.333MCE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-33.333MCE-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-24.000MDM-T TXC CORPORATION 8NE-24.000MDM-T 1.2019
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-40.000MCE-T TXC CORPORATION 8WE-40.000MCE-T 1.0605
RFQ
 ECAD 3689 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-40.000mce-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8WE-24.000MDM-T TXC CORPORATION 8WE-24.000MDM-T 1.9300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
8NE-30.000MCM-T TXC CORPORATION 8ne-30.000mcm-t 1.2019
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-30.000mcm-ttr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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